首頁(yè)>熱銷(xiāo)型號(hào)第6933頁(yè)>EDB8164B4PT-1D-F-R TR>詳情

EDB8164B4PT-1D-F-R TR_集成電路（IC） 存儲(chǔ)器-Micron Technology Inc.

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  • 廠家型號(hào)：

    EDB8164B4PT-1D-F-R TR

  • 制造商：

    Micron Technology Inc.

  • 庫(kù)存數(shù)量：

    0

  • 類(lèi)別：

    集成電路（IC） 存儲(chǔ)器

  • 封裝外殼：

    216-WFBGA

  • 包裝：

    托盤(pán)

  • 安裝類(lèi)型：

    表面貼裝型

  • 更新時(shí)間：

    2025-1-3 14:56:00

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原廠料號(hào)：EDB8164B4PT-1D-F-R TR品牌：Micron Technology Inc.

資料說(shuō)明：IC DRAM 8GBIT PARALLEL 216FBGA

EDB8164B4PT-1D-F-R TR是集成電路（IC） > 存儲(chǔ)器。制造商Micron Technology Inc.生產(chǎn)封裝216-WFBGA的EDB8164B4PT-1D-F-R TR存儲(chǔ)器存儲(chǔ)器是集成電路上用作數(shù)據(jù)存儲(chǔ)設(shè)備的半導(dǎo)體器件。這些器件分為非易失性或易失性?xún)煞N，格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、閃存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。這些器件的存儲(chǔ)容量為 64 b 至 6 Tb 不等，接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、單線、SPI、UFS、Xccela 總線和 1-線。

  • 芯片型號(hào)：

    edb8164b4pt-1d-f-r%20tr

  • 規(guī)格書(shū)：

    原廠下載 下載

  • 資料說(shuō)明：

    IC DRAM 8GBIT PARALLEL 216FBGA

產(chǎn)品屬性

  • 類(lèi)型

    描述

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    EDB8164B4PT-1D-F-R TR

  • 制造商：

    Micron Technology Inc.

  • 類(lèi)別：

    集成電路（IC） > 存儲(chǔ)器

  • 包裝：

    托盤(pán)

  • 存儲(chǔ)器類(lèi)型：

    易失

  • 存儲(chǔ)器格式：

    DRAM

  • 技術(shù)：

    SDRAM - 移動(dòng) LPDDR2

  • 存儲(chǔ)容量：

    8Gb（128M x 64）

  • 存儲(chǔ)器接口：

    并聯(lián)

  • 電壓 - 供電：

    1.14V ~ 1.95V

  • 工作溫度：

    -30°C ~ 85°C（TC）

  • 安裝類(lèi)型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    216-WFBGA

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    216-FBGA（12x12）

  • 描述：

    IC DRAM 8GBIT PARALLEL 216FBGA

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
Micron Technology Inc.
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