EFC2J004NUZTDG 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - FET，MOSFET - 陣列 ONSEMI/安森美半導(dǎo)體

原廠料號：EFC2J004NUZTDG品牌：ON(安森美)

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EFC2J004NUZTDG是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 陣列。制造商ON(安森美)/onsemi生產(chǎn)封裝NA/的EFC2J004NUZTDG晶體管 - FET，MOSFET - 陣列場效應(yīng)晶體管 (FET) 是使用電場控制電流流動(dòng)的電子器件。向柵極端子施加電壓會(huì)改變漏極端子和源極端子之間的電導(dǎo)率。FET 也稱為單極型晶體管，因?yàn)槠渖婕皢屋d流子類型的操作。也就是說，F(xiàn)ET 在操作中使用電子或空穴作為載流子，而不是同時(shí)使用兩者。場效應(yīng)晶體管通常在低頻下顯示出極高的輸入阻抗。

• 芯片型號：

  EFC2J004NUZTDG

• 規(guī)格書：

  下載

• 企業(yè)簡稱：

  ONSEMI【安森美半導(dǎo)體】詳情

• 廠商全稱：

  ON Semiconductor

• 中文名稱：

  安森美半導(dǎo)體公司

• 內(nèi)容頁數(shù)：

  7 頁

• 文件大小：

  313.5 kb

• 資料說明：

  Power MOSFET for 1-Cell Lithium-ion Battery Protection 12 V, 7.1 m廓, 14 A, Dual N-Channel