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EFC4K110NUZTDG 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - FET，MOSFET - 陣列 ONSEMI/安森美半導(dǎo)體

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原廠料號：EFC4K110NUZTDG品牌：ON

進(jìn)口原裝 假一罰十 現(xiàn)貨

EFC4K110NUZTDG是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 陣列。制造商ON/onsemi生產(chǎn)封裝NA/10-SMD，無引線的EFC4K110NUZTDG晶體管 - FET，MOSFET - 陣列場效應(yīng)晶體管 (FET) 是使用電場控制電流流動的電子器件。向柵極端子施加電壓會改變漏極端子和源極端子之間的電導(dǎo)率。FET 也稱為單極型晶體管，因為其涉及單載流子類型的操作。也就是說，F(xiàn)ET 在操作中使用電子或空穴作為載流子，而不是同時使用兩者。場效應(yīng)晶體管通常在低頻下顯示出極高的輸入阻抗。

  • 芯片型號：

    EFC4K110NUZTDG

  • 規(guī)格書：

    下載 下載2

  • 企業(yè)簡稱：

    ONSEMI【安森美半導(dǎo)體】詳情

  • 廠商全稱：

    ON Semiconductor

  • 中文名稱：

    安森美半導(dǎo)體公司

  • 內(nèi)容頁數(shù)：

    7 頁

  • 文件大?。?/span>

    199.14 kb

  • 資料說明：

    MOSFET ??Power, Dual, N-Channel, for 1-2 Cells Lithium-ion Battery Protection 24 V, 2.95 m, 25 A

產(chǎn)品屬性

更多
  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號：

    EFC4K110NUZTDG

  • 制造商：

    onsemi

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 陣列

  • 包裝：

    卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • FET 類型：

    2 N 溝道（雙）共漏

  • FET 功能：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 漏源電壓（Vdss）：

    24V

  • 25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：

    25A

  • 不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）：

    49nC @ 4.5V

  • 功率 - 最大值：

    2.5W

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    10-SMD，無引線

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    10-WLCSP（3.2x2.1）

  • 描述：

    NCH 24V 25A WLCSP DUAL

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    深圳市盈盛科創(chuàng)科技有限公司

  • 商鋪：

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    李S

  • 手機(jī)：

    18028785434

  • 詢價：
  • 電話：

    18028736224

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)振興路華美大廈534-535

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