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FDN302P

P-ChannelEnhancement-ModeMOSFETs

ProductSummary Vps=-20V,Ip=-3A Rosion)

TECHPUBLICTECH PUBLIC Electronics co LTD

臺舟電子臺舟電子股份有限公司

FDN302P

P-Channel2.5V(D-S)MOSFET

Features ?–20V,–2.4A.RDS(ON)=55mΩ@VGS=–4.5V RDS(ON)=80mΩ@VGS=–2.5V ?Fastswitchingspeed ?Highperformancetrenchtechnologyforextremely lowRDS(ON) ?SuperSOTTM-3provideslowRDS(ON)and30higher powerhandlingcapabilitythanSOT23inthesame footprint

UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd.

友臺半導(dǎo)體廣東友臺半導(dǎo)體有限公司

FDN302P

P-Channel2.5V(D-S)MOSFET

GeneralDescription ThisP-Channel2.5Vhasbeenoptimizedforpower managementapplicationswithawiderangeofgate drivevoltage(2.5V–12V). Applications ?Powermanagement ?Loadswitch ?Batteryprotection Features ?–20V,–2.4A.RDS(ON)=55mΩ@VGS=–4.5V RDS(ON)=

EVVOSEMIEVER SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED

翊歐翊歐半導(dǎo)體

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更多EL302R供應(yīng)商 更新時間2025-3-31 11:06:00

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