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FQB4N25	文件：729.52 Kbytes Page：9 Pages	250VN-ChannelMOSFET 250VN-ChannelMOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
FQD4N25	文件：1.7968 Mbytes Page：9 Pages	N-ChannelQFETMOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
FQD4N25	文件：304.57 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=3A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=250V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=1.75Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
FQD4N25	文件：722.8 Kbytes Page：9 Pages	250VN-ChannelMOSFET Features ?3.0A,250V,RDS(on)=1.75?(Max)@VGS=10V ?Lowgatecharge(Typ.4.3nC) ?LowCrss(Typ.4.8pF) ?Fastswitching ?100avalanchetested ?Improveddv/dtcapability	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
FQD4N25TM	文件：1.7968 Mbytes Page：9 Pages	N-ChannelQFETMOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
FQI4N25	文件：729.52 Kbytes Page：9 Pages	250VN-ChannelMOSFET 250VN-ChannelMOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
FQP4N25	文件：301.99 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=3.6A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=250V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=1.75Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
FQP4N25	文件：713.74 Kbytes Page：8 Pages	250VChannelMOSFET GeneralDescription Features	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
FQPF4N25	文件：742.71 Kbytes Page：8 Pages	250VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproductusingFairchildsproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Thisadvancetechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithstan	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
FQT4N25	文件：653.62 Kbytes Page：8 Pages	250VN-ChannelMOSFET Description ThisN-ChannelenhancementmodepowerMOSFETisproducedusingFairchildSemiconductor?’sproprietaryplanarstripeandDMOStechnology.ThisadvancedMOSFETtechnologyhasbeenespeciallytailoredtoreduceon-stateresistance,andtoprovidesuperiorswitchingperformanceandhigha	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
FQT4N25TF	文件：1.73029 Mbytes Page：8 Pages	N-ChannelQFET?MOSFET Description ThisN-ChannelenhancementmodepowerMOSFETisproducedusingFairchildSemiconductor?’sproprietaryplanarstripeandDMOStechnology.ThisadvancedMOSFETtechnologyhasbeenespeciallytailoredtoreduceon-stateresistance,andtoprovidesuperiorswitchingperformanceandhigha	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
FQU4N25	文件：329.48 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=3.0A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=250V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=1.75Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
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FQU4N25	文件：722.8 Kbytes Page：9 Pages	250VN-ChannelMOSFET Features ?3.0A,250V,RDS(on)=1.75?(Max)@VGS=10V ?Lowgatecharge(Typ.4.3nC) ?LowCrss(Typ.4.8pF) ?Fastswitching ?100avalanchetested ?Improveddv/dtcapability	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
K4N25	文件：256.329 Kbytes Page：3 Pages	Photocoupler(ThesePhotocouplersconsistofaGalliumArsenideInfraredEmitting) Photocoupler ThesePhotocouplersconsistofaGalliumArsenideInfraredEmittingDiodeandaSiliconNPNPhototransistorina6-pinpackage. FEATURES ?SwitchingTime-Typ.3? ?Collector-EmitterVoltage:Min.30V ?CurrentTransferRatio:Typ.100(atIF=10mA,VCE=10V) ?El	KODENSHIKODENSHI_AUK CORP. 可天士可天士光電子集團(tuán)	KODENSHI
K4N25A	文件：256.329 Kbytes Page：3 Pages	Photocoupler(ThesePhotocouplersconsistofaGalliumArsenideInfraredEmitting) Photocoupler ThesePhotocouplersconsistofaGalliumArsenideInfraredEmittingDiodeandaSiliconNPNPhototransistorina6-pinpackage. FEATURES ?SwitchingTime-Typ.3? ?Collector-EmitterVoltage:Min.30V ?CurrentTransferRatio:Typ.100(atIF=10mA,VCE=10V) ?El	KODENSHIKODENSHI_AUK CORP. 可天士可天士光電子集團(tuán)	KODENSHI
K4N25G	文件：187.37 Kbytes Page：3 Pages	Photocoupler(ThesePhotocouplerscosistofaGalliumArsenideInfraredEmitting) Photocoupler ThesePhotocouplerscosistofaGalliumArsenideInfraredEmittingDiodeandaSiliconNPNPhototransistorina6-pinpackage. FEATURES ?TTLCompatibleOutput ?Collector-EmitterVoltage:Min.50V ?CurrentTransferRatio:Typ.100(atIF=5mA,VCE=5V) ?Electric	KODENSHIKODENSHI_AUK CORP. 可天士可天士光電子集團(tuán)	KODENSHI
K4N25H	文件：187.37 Kbytes Page：3 Pages	Photocoupler(ThesePhotocouplerscosistofaGalliumArsenideInfraredEmitting) Photocoupler ThesePhotocouplerscosistofaGalliumArsenideInfraredEmittingDiodeandaSiliconNPNPhototransistorina6-pinpackage. FEATURES ?TTLCompatibleOutput ?Collector-EmitterVoltage:Min.50V ?CurrentTransferRatio:Typ.100(atIF=5mA,VCE=5V) ?Electric	KODENSHIKODENSHI_AUK CORP. 可天士可天士光電子集團(tuán)	KODENSHI
KSM4N25	文件：1.98426 Mbytes Page：7 Pages	250VN-CHANNELMOSFET	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
KSMD4N25	文件：3.23426 Mbytes Page：8 Pages	N-ChannelMOSFET250V,3A,1.75廓	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI

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更多EL4N25供應(yīng)商更新時(shí)間2025-1-5 9:18:00

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