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ERB4410	文件：122.84 Kbytes Page：2 Pages	PlasticfastRecoverRectifierReverseVoltage200to1000VForwardCurrent1.0A	DACHANGRugao Dachang Electronics Co., Ltd 大昌電子如皋市大昌電子有限公司	DACHANG
ERB4410	文件：122.84 Kbytes Page：2 Pages	PlasticfastRecoverRectifier	DACHANGRugao Dachang Electronics Co., Ltd 大昌電子如皋市大昌電子有限公司	DACHANG
FB4410Z	文件：300.42 Kbytes Page：8 Pages	HEXFETPowerMOSFET	IRF International Rectifier	IRF
FB4410Z	文件：339.29 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司	ISC
FB4410Z	文件：336.33 Kbytes Page：12 Pages	HighEfficiencySynchronousRectificationinSMPS	IRF International Rectifier	IRF
FB4410Z	文件：339.34 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司	ISC
FDR4410	文件：220.45 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor GeneralDescription TheFDR4410hasbeendesignedasasmaller,lowcostalternativetothepopularSi4410DY. TheSuperSOTTM-8packageis40smallerthantheSO-8package. TheSuperSOTTM-8advancedpackagedesignandoptimizedpinoutallowthetypicalpowerdissipationtobesimilartothebigg	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導體飛兆/仙童半導體公司	Fairchild
FDS4410	文件：241.99 Kbytes Page：8 Pages	SingleN-ChannelLogicLevelPWMOptimizedPowerTrenchTMMOSFET GeneralDescription ThisN-ChannelLogicLevelMOSFEThasbeendesignedspecificallytoimprovetheoverallefficiencyofDC/DCconvertersusingeithersynchronousorconventionalswitchingPWMcontrollers. TheMOSFETfeaturesfasterswitchingandlowergatechargethanotherMOSFETswithco	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導體飛兆/仙童半導體公司	Fairchild
FDS4410A	文件：112.08 Kbytes Page：5 Pages	SingleN-Channel,Logic-Level,PowerTrenchMOSFET GeneralDescription ThisN-ChannelLogicLevelMOSFETisproducedusingFairchildSemiconductor’sadvancedPowerTrenchprocessthathasbeenespeciallytailoredtominimizetheon-stateresistanceandyetmaintainsuperiorswitchingperformance.Thesedevicesarewellsuitedforlowvoltageand	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導體飛兆/仙童半導體公司	Fairchild
FQS4410	文件：598.18 Kbytes Page：8 Pages	SingleN-Channel,LogicLevel,PowerMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwiths	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導體飛兆/仙童半導體公司	Fairchild
FTK4410D	文件：510.63 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelMOSFET	FS First Silicon Co., Ltd	FS
FTSO4410	文件：316.65 Kbytes Page：9 Pages	SmallSignalGeneralPurposeAmplifiers&Switchs	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導體飛兆/仙童半導體公司	Fairchild
GAPM4410	文件：468.13 Kbytes Page：10 Pages	MinisizeofDiscretesemiconductorelements	ETC1List of Unclassifed Manufacturers etc未分類制造商未分類制造商	ETC1
GC4410	文件：106.98 Kbytes Page：2 Pages	HIGHVOLTAGEPINDIODES DESCRIPTION TheGC4400seriesarehighvoltage,highpower(cathodebase)PINdiodes.Thesehighresistivitysilicondevicesareglasspassivatedforhighstabilityandreliabilityandhavebeenprovenbythousandsofdevicehoursinhighreliabilitysystems. KEYFEATURES Availableasp	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
GC4410	文件：157.44 Kbytes Page：4 Pages	CONTROLDEVICES-HIGHVOLTAGEPINDIODES	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
GSC4410	文件：309.15 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET	GTMGTM CORPORATION 勤益投資控股勤益投資控股股份有限公司	GTM
HM4410	文件：1.99613 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel30-V(D-S)MOSFET FEATURES ?Halogen-free ?TrenchFET?PowerMOSFET ?OptimizedforHigh-SideSynchronousRectifierOperation ?100RgTested ?100UISTested APPLICATIONS ?NotebookCPUCore -High-SideSwitch CASESO-8	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導體微碧半導體（臺灣）有限公司	VBSEMI
HM4410A	文件：613.93 Kbytes Page：7 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 華之美半導體深圳市華之美半導體有限公司	HMSEMI
HM4410T	文件：3.56318 Mbytes Page：14 Pages	130mWnon-outputcapacitostereoclassGheadphoneamplifier	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 華之美半導體深圳市華之美半導體有限公司	HMSEMI
HP4410	文件：82.34 Kbytes Page：5 Pages	10A,30V,0.0135Ohm,SingleN-Channel,LogicLevelPowerMOSFET ThispowerMOSFETismanufacturedusinganinnovativeprocess.Thisadvancedprocesstechnologyachievesthelowestpossibleon-resistancepersiliconarea,resultinginoutstandingperformance.Thisdeviceiscapableofwithstandinghighenergyintheavalanchemodeandthediodeexhibitsverylo	Intersil Intersil Corporation	Intersil

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更多ELD-4410-T供應商更新時間2025-1-10 14:02:00

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