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EMB55N03JS	文件：234.2 Kbytes Page：5 Pages	N‐Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor	EXCELLIANCEExcelliance MOS Corp. 杰力科技杰力科技股份有限公司	EXCELLIANCE
FMDS55N03	文件：123.92 Kbytes Page：2 Pages	30VN-ChannelEnhancement-ModeMOSFET	FCIFirst Components International 戈采戈采企業(yè)股份有限公司	FCI
GJ55N03	文件：223.4 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET	GTMGTM CORPORATION 勤益投資控股勤益投資控股股份有限公司	GTM
HM55N03D	文件：958.97 Kbytes Page：7 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 華之美半導(dǎo)體深圳市華之美半導(dǎo)體有限公司	HMSEMI
HRLD55N03K	文件：965.32 Kbytes Page：9 Pages	SuperiorAvalancheRuggedTechnology	SEMIHOW SemiHow Co.,Ltd.	SEMIHOW
HRLF55N03K	文件：238.66 Kbytes Page：7 Pages	100AvalancheTested	SEMIHOW SemiHow Co.,Ltd.	SEMIHOW
HRLFS55N03K	文件：258.79 Kbytes Page：7 Pages	100AvalancheTested	SEMIHOW SemiHow Co.,Ltd.	SEMIHOW
HRLP55N03K	文件：933.13 Kbytes Page：8 Pages	SuperiorAvalancheRuggedTechnology	SEMIHOW SemiHow Co.,Ltd.	SEMIHOW
NP55N03SUG	文件：5.67799 Mbytes Page：6 Pages	ProductScoutAutomotive	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
NP55N03SUG	文件：298.98 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=55A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=30V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=5.0mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
PHB55N03	文件：63.5 Kbytes Page：8 Pages	TrenchMOStransistorStandardlevelFET GENERALDESCRIPTION N-channelenhancementmodestandardlevelfield-effectpowertransistorinaplasticenvelopesuitableforsurfacemountingusing’trench’technology.Thedevicefeaturesverylowon-stateresistanceandhasintegralzenerdiodesgivingESDprotectionupto2kV.Itisintended	PhilipsNXP Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦	Philips
PHB55N03	文件：107.39 Kbytes Page：11 Pages	N-channelTrenchMOStransistorLogiclevelFET GENERALDESCRIPTION N-channelenhancementmodelogiclevelfield-effectpowertransistorinaplasticenvelopeusing’trench’technology. FEATURES ?’Trench’technology ?Verylowon-stateresistance ?Fastswitching ?Lowthermalresistance ?Logiclevelcompatible Appl	PhilipsNXP Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦	Philips
PHB55N03LT	文件：107.39 Kbytes Page：11 Pages	N-channelTrenchMOStransistorLogiclevelFET GENERALDESCRIPTION N-channelenhancementmodelogiclevelfield-effectpowertransistorinaplasticenvelopeusing’trench’technology. FEATURES ?’Trench’technology ?Verylowon-stateresistance ?Fastswitching ?Lowthermalresistance ?Logiclevelcompatible Appl	PhilipsNXP Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦	Philips
PHB55N03LT	文件：344.4 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=55A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=25V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=14mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·DC-to-DCConverter ·GeneralIndustrialApplications ·PowerMotorControl	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
PHB55N03LTA	文件：1.01483 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel30-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司	VBSEMI
PHB55N03LTA	文件：296.3 Kbytes Page：14 Pages	N-channelenhancementmodefield-effecttransistor Description N-channellogiclevelfield-effectpowertransistorinaplasticpackageusingTrenchMOS?1technology. Productavailability: PHP55N03LTAinaSOT78(TO-220AB) PHB55N03LTAinaSOT404(D2-PAK) PHD55N03LTAinaSOT428(D-PAK). Features ■Lowon-stateresistance ■Fastswitching.	PhilipsNXP Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦	Philips
PHB55N03T	文件：63.5 Kbytes Page：8 Pages	TrenchMOStransistorStandardlevelFET GENERALDESCRIPTION N-channelenhancementmodestandardlevelfield-effectpowertransistorinaplasticenvelopesuitableforsurfacemountingusing’trench’technology.Thedevicefeaturesverylowon-stateresistanceandhasintegralzenerdiodesgivingESDprotectionupto2kV.Itisintended	PhilipsNXP Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦	Philips
PHB55N03T	文件：344.88 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=55A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=30V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=18mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·DC-to-DCConverter ·GeneralIndustrialApplications ·PowerMotorControl	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
PHD55N03	文件：250.37 Kbytes Page：2 Pages	IscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
PHD55N03LT	文件：107.39 Kbytes Page：11 Pages	N-channelTrenchMOStransistorLogiclevelFET GENERALDESCRIPTION N-channelenhancementmodelogiclevelfield-effectpowertransistorinaplasticenvelopeusing’trench’technology. FEATURES ?’Trench’technology ?Verylowon-stateresistance ?Fastswitching ?Lowthermalresistance ?Logiclevelcompatible Appl	PhilipsNXP Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦	Philips

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供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
深圳市中福國際管理有限公司	EMB55N03JS	EMC/杰力	23+	SOT23-3	360000	專業(yè)供應(yīng)MOS/LDO/晶體管/有大量價格低	詢價
深圳市威爾健半導(dǎo)體有限公司	EMB55N03JS	EMC	23+	SOT-23	50000	全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨	詢價
深圳市金芯世紀(jì)電子有限公司	EMB55N03JS	EMC	22+	SOT-23	100000	代理渠道/只做原裝/可含稅	詢價
深圳市得捷芯城科技有限公司	EMB55N03JS	EMC	23+	NA/	11705	優(yōu)勢代理渠道,原裝正品,可全系列訂貨開增值稅票	詢價
深圳兆威電子有限公司	EMB55N06G	excelliancemos	23+	SOP-8	36000	原裝正品現(xiàn)貨	詢價
中天科工半導(dǎo)體（深圳）有限公司	EMB55N06G	EMB	20+	SOP-8	32550	原裝優(yōu)勢主營型號-可開原型號增稅票	詢價
深圳市萊克訊科技有限公司	EMB55N06G	EMC	1925+	SOP-8	12500	原裝現(xiàn)貨價格優(yōu)勢可供更多可出樣	詢價
深圳市安富世紀(jì)電子有限公司	EMB55N06G	EMC	23+	SOP8	50000	全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨	詢價
深圳市威雅利發(fā)展有限公司	EMB55N06G	CMC	10+	SOP-8	15000	一級代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力	詢價
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更多EMB55N03JS供應(yīng)商更新時間2024-12-29 10:34:00

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