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EMT1DXV6中文資料安森美半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)

EMT1DXV6
廠商型號(hào)

EMT1DXV6

功能描述

Dual General Purpose Transistor

文件大小

60.33 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

4 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 ON Semiconductor
企業(yè)簡(jiǎn)稱

ONSEMI安森美半導(dǎo)體

中文名稱

安森美半導(dǎo)體公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-1-15 18:30:00

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    EMT1DXV6

  • 功能描述:

    兩極晶體管 - BJT 100mA 60V Dual PNP

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    PNP 集電極—基極電壓

  • VCBO:

    集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO:

    - 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓

  • VEBO:

    - 6 V

  • 增益帶寬產(chǎn)品fT:

    直流集電極/Base Gain hfe

  • Min:

    100 A

  • 安裝風(fēng)格:

    SMD/SMT

  • 封裝/箱體:

    PowerFLAT 2 x 2

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
onsemi(安森美)
23+
SOT563
6000
誠(chéng)信服務(wù),絕對(duì)原裝原盤
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原裝正品支持實(shí)單
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