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EPC9131

包裝：盒 類別：開發(fā)板，套件，編程器 評估板 - DC/DC 與 AC/DC（離線）SMPS 描述：EVAL BOARD FOR EPC2112

EPCEPC（Efficient Power Conversion）

宜普宜普電源轉(zhuǎn)換公司

G9131

300mALow-DropoutLinearRegulators

GeneralDescription TheG9131isalowsupplycurrent,lowdropoutlinearregulatorthatcomesinaspacesavingSOT-23package.Thesupplycurrentatno-loadis90μA.Anovertemperatureprotectioncircuitisbuilt-inintheG9131topreventthermaloverload.Thesepowersavingfeaturesmaketh

GMTGlobal Mixed-mode Technology Inc

致新科技

ICS9131

32KhZMotherboardFrequencyGenerator

GeneralDescription TheICS9131offersatinyfootprintsolutionforgeneratingaselectableCPUclockfroma32.768kHzcrystal.ThedeviceallowsavarietyofmicroprocessorstobeclockedbychangingthestateofaddresslinesFS0,FS1,andFS2.TheICS9131istheidealsolutionforreplacin

IDT

Integrated Device Technology, Inc.

ICS9131

32KhZMotherboardFrequencyGenerator

GeneralDescription TheICS9131offersatinyfootprintsolutionforgeneratingaselectableCPUclockfroma32.768kHzcrystal.ThedeviceallowsavarietyofmicroprocessorstobeclockedbychangingthestateofaddresslinesFS0,FS1,andFS2.TheICS9131istheidealsolutionforreplacin

ICST

Integrated Circuit Systems

IRF9131

P-CHANNELPOWERMOSFETS

FEATURES ?LowRDS(on) ?Improvedinductiveruggedness ?Fsatswitchingtimes ?Ruggedpolysilicongatecellstructure ?Lowinputcapacitance ?Extendedsafeoperatingarea ?Improvedhightemperaturereliability

SamsungSamsung semiconductor

三星三星半導體

IRF9131

iscN-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

IRF9131

iscP-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=-12A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=-60V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.3Ω(Max)@VGS=-10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

IRFF9131

Avalanche-Energy-RatedP-ChannelPowerMOSFETs

-5.5Aand-6.5A,-60Vand-100VrDS(on)=0.30Ωand0.40Ω TheIRFF9130,IRFF9131,IRFF9132andIRFF9133areadvancedpowerMOSFETsdesigned,tested,andguaranteedtowithstandaspecifiedlevelofenergyinthebreakdownavalanchemodeofoperation.Thesearep-channelenhancement-modesilicon-gat

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新澤西半導體新澤西半導體產(chǎn)品股份有限公司

IRFP9131

P-CHANNELPOWERMOSFETS

FEATURES ?LowRDS(on) ?Improvedinductiveruggedness ?Fsatswitchingtimes ?Ruggedpolysilicongatecellstructure ?Lowinputcapacitance ?Extendedsafeoperatingarea ?Improvedhightemperaturereliability

SamsungSamsung semiconductor

三星三星半導體

IRFP9131

P-CHANNELPOWERMOSFETS

FEATURES ?LowRDS(on) ?Improvedinductiveruggedness ?Fsatswitchingtimes ?Ruggedpolysilicongatecellstructure ?Lowinputcapacitance ?Extendedsafeoperatingarea ?Improvedhightemperaturereliability

SamsungSamsung semiconductor

三星三星半導體

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    EPC9131

  • 制造商：

    EPC

  • 類別：

    開發(fā)板，套件，編程器 > 評估板 - DC/DC 與 AC/DC（離線）SMPS

  • 系列：

    eGaN?

  • 包裝：

    盒

  • 主要用途：

    DC/DC，步升/步降

  • 輸出和類型：

    1，非隔離

  • 電壓 - 輸出：

    19V

  • 電流 - 輸出：

    1.42A

  • 電壓 - 輸入：

    14V ~ 48V

  • 穩(wěn)壓器拓撲：

    降壓升壓，SEPIC

  • 頻率 - 開關：

    300kHz

  • 板類型：

    完全填充

  • 所含物品：

    板

  • 使用的 IC/零件：

    EPC2112

  • 描述：

    EVAL BOARD FOR EPC2112

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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EPCC
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更多EPC9131供應商 更新時間2025-2-9 11:06:00

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