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EPR1407G	文件：23.41 Kbytes Page：1 Pages	T1/E1/CEPT/ISDN-PRI Interface Transformers	PCA PCA ELECTRONICS INC.	PCA
EPR1407G-RC	文件：23.41 Kbytes Page：1 Pages	T1/E1/CEPT/ISDN-PRI Interface Transformers	PCA PCA ELECTRONICS INC.	PCA
IIRF1407	文件：338.76 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IRF1407	文件：338.76 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IRF1407	文件：127.66 Kbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET(Vdss=75V,Rds(on)=0.0078ohm,Id=130A?? Description SpecificallydesignedforAutomotiveapplications,thisStripePlanardesignofHEXFET?PowerMOSFETsutilizesthelastestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.AdditionalfeaturesofthisHEXFETpowerMOSFETarea175°Cjunctionoperatingtemp	IRF International Rectifier	IRF
IRF1407L	文件：159.79 Kbytes Page：11 Pages	PowerMOSFET(Vdss=75V,Rds(on)=0.0078??Id=100A?? Description AdvancedHEXFET?PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETpowerMOSFETsarewellknownfor,p	IRF International Rectifier	IRF
IRF1407L	文件：331.27 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IRF1407LPbF	文件：578.95 Kbytes Page：12 Pages	HEXFET?PowerMOSFET Description AdvancedHEXFET?PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETpowerMOSFETsarewellknownfor,p	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
IRF1407LPBF	文件：258.07 Kbytes Page：12 Pages	HEXFET?PowerMOSFET(VDSS=75V,RDS(on)=0.0078廓,ID=100A) Description AdvancedHEXFET?PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETpowerMOSFETsarewellknownfor,p	IRF International Rectifier	IRF
IRF1407PBF	文件：167.92 Kbytes Page：10 Pages	HEXFET?PowerMOSFET Description ThisStripePlanardesignofHEXFET?PowerMOSFETsutilizesthelastestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.AdditionalfeaturesofthisHEXFETpowerMOSFETarea175°Cjunctionoperatingtemperature,fastswitchingspeedandimprovedrepetiti	IRF International Rectifier	IRF
IRF1407PBF	文件：271.93 Kbytes Page：9 Pages	AdvancedProcessTechnology	IRF International Rectifier	IRF
IRF1407S	文件：189.06 Kbytes Page：2 Pages	IscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IRF1407S	文件：159.79 Kbytes Page：11 Pages	PowerMOSFET(Vdss=75V,Rds(on)=0.0078??Id=100A?? Description AdvancedHEXFET?PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETpowerMOSFETsarewellknownfor,p	IRF International Rectifier	IRF
IRF1407SPBF	文件：258.07 Kbytes Page：12 Pages	HEXFET?PowerMOSFET(VDSS=75V,RDS(on)=0.0078廓,ID=100A) Description AdvancedHEXFET?PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETpowerMOSFETsarewellknownfor,p	IRF International Rectifier	IRF
IRF1407SPBF	文件：259.029 Kbytes Page：12 Pages	AdvancedProcessTechnology	IRF International Rectifier	IRF
IRF1407SPBF	文件：578.95 Kbytes Page：12 Pages	HEXFET?PowerMOSFET Description AdvancedHEXFET?PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETpowerMOSFETsarewellknownfor,p	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
IRF1407STRLPbF	文件：578.95 Kbytes Page：12 Pages	HEXFET?PowerMOSFET Description AdvancedHEXFET?PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETpowerMOSFETsarewellknownfor,p	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
KI1407DL	文件：52.24 Kbytes Page：2 Pages	P-Channel1.8-V(G-S)MOSFET	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信電子廣東科信實(shí)業(yè)有限公司	KEXIN
KS1407N	文件：97.05 Kbytes Page：1 Pages	7mmAdjustableshieldedIFTCoil(II)	FRONTIER Frontier Electronics	FRONTIER
KS1407N	文件：153.8 Kbytes Page：1 Pages	7mmADJUSTABLEIFTCOILS(II)(SHIELDED)	FRONTIER Frontier Electronics	FRONTIER

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詳細(xì)參數(shù)

型號(hào)：
EPR1407G
制造商：
PCA
制造商全稱：
PCA ELECTRONICS INC.
功能描述：
T1/E1/CEPT/ISDN-PRI Interface Transformers

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫(kù)存	備注	價(jià)格
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更多EPR1407G供應(yīng)商更新時(shí)間2024-12-22 22:58:00

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