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ERJ-8GEYJ100V

280W GaN WIDEBAND PULSED POWER

RFMD

RF Micro Devices

ERJ-8GEYJ100V

280W GaN Wideband Pulsed Power Amplifier

RFMD

RF Micro Devices

ERJ-8GEYJ100V

60W GaN WIDEBAND POWER AMPLIFIER

RFMD

RF Micro Devices

ERJ-8GEYJ100V

90W GaN WIDE-BAND POWER AMPLIFIER

RFMD

RF Micro Devices

ERJ-8GEYJ100V

280W GaN WIDE-BAND PULSED POWER AMPLIFIER

RFMD

RF Micro Devices

ERJ-8GEYJ100V

30W GaN WIDEBAND POWER AMPLIFIER

RFMD

RF Micro Devices

ERJ-8GEYJ100V

380W GaN WIDEBAND PULSED

RFMD

RF Micro Devices

ERJ-8GEYJ100V

120W GaN WIDEBAND POWER AMPLIFIER

RFMD

RF Micro Devices

ERJ-8GEYJ100V

包裝:卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶 封裝/外殼:1206(3216 公制) 類別:電阻器 片式電阻器 - 表面貼裝 描述:RES SMD 10 OHM 5% 1/4W 1206

PanasonicElectronicComponents

Panasonic Electronic Components

ERJ-8GEYJ100V

包裝:卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶 封裝/外殼:1206(3216 公制) 類別:電阻器 片式電阻器 - 表面貼裝 描述:RES SMD 10 OHM 5% 1/4W 1206

PanasonicElectronicComponents

Panasonic Electronic Components

ERJ-8GEYJ100K

HighPowerFactor/LowTHD

IRF

International Rectifier

ERJ8GEYJ100V

AllGoldBondingScheme

ASI

Advanced Semiconductor

ERJ8GEYJ100V

SiliconMOSFETTechnology

ASI

Advanced Semiconductor

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    ERJ-8GEYJ100V

  • 制造商:

    Panasonic Electronic Components

  • 類別:

    電阻器 > 片式電阻器 - 表面貼裝

  • 系列:

    ERJ-8G

  • 包裝:

    卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 容差:

    ±5%

  • 功率 (W):

    0.25W,1/4W

  • 成分:

    厚膜

  • 特性:

    汽車級(jí)AEC-Q200

  • 溫度系數(shù):

    ±200ppm/°C

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 155°C

  • 封裝/外殼:

    1206(3216 公制)

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    1206

  • 等級(jí):

    AEC-Q200

  • 大小 / 尺寸:

    0.126" 長(zhǎng) x 0.063" 寬(3.20mm x 1.60mm)

  • 高度 - 安裝(最大值):

    0.028"(0.70mm)

  • 描述:

    RES SMD 10 OHM 5% 1/4W 1206

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
PANASONIC
20+
電阻器
29288
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原裝現(xiàn)貨 庫(kù)存特價(jià)/長(zhǎng)期供應(yīng)元器件代理經(jīng)銷
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更多ERJ-8GEYJ100V供應(yīng)商 更新時(shí)間2022-12-6 9:27:00