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ERJ-XGNF2552Y	文件：100 bytes Page：1 Pages	包裝：卷帶（TR）封裝/外殼：01005（0402 公制）類別：電阻器片式電阻器 - 表面貼裝描述：RES 25.5K OHM 1% 1/32W 01005	PanasonicElectronicComponents Panasonic Electronic Components	PanasonicElectronicComponents
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FDB2552	文件：52.05 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelPowerTrenchMOSFET Features ●rDS(ON)=32mΩ(Typ.),VGS=10V,ID=16A ●Qg(tot)=39nC(Typ.),VGS=10V ●LowMillerCharge ●LowQRRBodyDiode ●UISCapability(SinglePulseandRepetitivePulse)	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信電子廣東科信實業(yè)有限公司	KEXIN
FDB2552	文件：256.69 Kbytes Page：11 Pages	N-ChannelPowerTrenchMOSFET150V,37A,36m? Features ?rDS(ON)=32m?(Typ.),VGS=10V,ID=16A ?Qg(tot)=39nC(Typ.),VGS=10V ?LowMillerCharge ?LowQRRBodyDiode ?UISCapability(SinglePulseandRepetitivePulse) ?QualifiedtoAECQ101 Applications ?DC/DCConvertersandOff-lineUPS ?Distributed	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
FDB2552	文件：332.44 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=39A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=150V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=36mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-D	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
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FDP2552	文件：305.22 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
FDZ2552P	文件：52.12 Kbytes Page：4 Pages	DualP-Channel2.5VSpecifiedPowerTrenchTMBGAMOSFET GeneralDescription CombiningFairchild’sadvanced2.5VspecifiedPowerTrenchprocesswithstateoftheartBGApackaging,theFDZ2552PminimizesbothPCBspaceandRDS(ON).ThisdualBGAMOSFETembodiesabreakthroughinpackagingtechnologywhichenablesthedevicetocombineexcellentthermal	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
H2552	文件：6.41626 Mbytes Page：980 Pages	Renesas16-BitSingle-ChipMicrocomputerH8SFamily/H8S/2500Series	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
IRS2552D	文件：795.21 Kbytes Page：32 Pages	CCFL/EEFLBALLASTCONTROLLERIC	IRF International Rectifier	IRF
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IRS2552D	文件：795.21 Kbytes Page：32 Pages	CCFL/EEFLBALLASTCONTROLLERIC	IRF International Rectifier	IRF
IRS2552DSPBF	文件：795.21 Kbytes Page：32 Pages	CCFL/EEFLBALLASTCONTROLLERIC	IRF International Rectifier	IRF
KDB2552	文件：52.05 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelPowerTrenchMOSFET Features ●rDS(ON)=32mΩ(Typ.),VGS=10V,ID=16A ●Qg(tot)=39nC(Typ.),VGS=10V ●LowMillerCharge ●LowQRRBodyDiode ●UISCapability(SinglePulseandRepetitivePulse)	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信電子廣東科信實業(yè)有限公司	KEXIN
L2552F	文件：171.1 Kbytes Page：1 Pages	LowProfileDesignedforPCBConnections	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分類制造商etc2未分類制造商	etc2
M2552	文件：134.74 Kbytes Page：2 Pages	HIGHRELIABILITYFORLOWCOST	PETERMANN PETERMANN-TECHNIK	PETERMANN
MAX2552	文件：7.09011 Mbytes Page：94 Pages	BandIII,IV,IX,andXWCDMAFemtocellTransceiverwithGSMMonitoring	MaximMaxim Integrated Products 美信美信半導(dǎo)體	Maxim
MAX2552ETN	文件：7.09011 Mbytes Page：94 Pages	BandIII,IV,IX,andXWCDMAFemtocellTransceiverwithGSMMonitoring	MaximMaxim Integrated Products 美信美信半導(dǎo)體	Maxim
MS2552	文件：245.72 Kbytes Page：4 Pages	RF&MICROWAVETRANSISTORS DESCRIPTION TheMS2552deviceisahighpowerpulsedtransistorspecificallydesignedforDME/TACANavionicsapplications. ThisdeviceiscapableofwithstandinganinfiniteloadVSWRatanyphaseangleunderfullratedconditions.LowRFthermalresistanceandsemiautomaticbondingtechniquese	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
NCS2552	文件：272.15 Kbytes Page：13 Pages	750MHzVoltageFeedbackOpAmpwithFastEnableFeature	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI

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產(chǎn)品屬性

產(chǎn)品編號：
ERJ-XGNF2552Y
制造商：
Panasonic Electronic Components
類別：
電阻器 > 片式電阻器 - 表面貼裝
系列：
ERJ-XGN
包裝：
卷帶（TR）
容差：
±1%
功率 (W)：
0.03W，1/32W
成分：
厚膜
溫度系數(shù)：
±200ppm/°C
工作溫度：
-55°C ~ 125°C
封裝/外殼：
01005（0402 公制）
供應(yīng)商器件封裝：
01005
大小 / 尺寸：
0.016" 長 x 0.008" 寬（0.40mm x 0.20mm）
高度 - 安裝（最大值）：
0.006"（0.15mm）
描述：
RES 25.5K OHM 1% 1/32W 01005

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
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更多ERJ-XGNF2552Y供應(yīng)商更新時間2025-1-6 17:15:00

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