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SSM3J110TU	文件：143.4 Kbytes Page：5 Pages	FieldEffectTransistorSiliconP-ChannelMOSTypeHighSpeedSwitchingApplications HighSpeedSwitchingApplications ?1.8Vdrive ?Lowon-resistance:Ron=240m?(max)(@VGS=?1.8V) Ron=145m?(max)(@VGS=?2.5V) Ron=94m?(max)(@VGS=?4.0V)	TOSHIBAToshiba Semiconductor 東芝株式會社東芝	TOSHIBA

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文件：143.4 Kbytes

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FieldEffectTransistorSiliconP-ChannelMOSTypeHighSpeedSwitchingApplications

HighSpeedSwitchingApplications ?1.8Vdrive ?Lowon-resistance:Ron=240m?(max)(@VGS=?1.8V) Ron=145m?(max)(@VGS=?2.5V) Ron=94m?(max)(@VGS=?4.0V)

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

TOSHIBA

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