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SSM3J111TU

BipolarSmall-SignalTransistors

MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會(huì)社東芝

SSM3J111TU

FieldEffectTransistorSiliconP-ChannelMOSTypeHighSpeedSwitchingApplications

HighSpeedSwitchingApplications ??????? ?2.5Vdrive ?Lowon-resistance:Ron=480m?(max)(@VGS=?4V) Ron=680m?(max)(@VGS=?2.5V)

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會(huì)社東芝

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
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更多ERJPA3J111V供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-1-19 8:14:00

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