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SSM3J130TU

Field-EffectTransistorSiliconP-ChannelMOSType(U-MOS??

○PowerManagementSwitchApplications ?1.5Vdrive ?LowON-resistance:RDS(ON)=63.2m?(max)(@VGS=-1.5V) RDS(ON)=41.1m?(max)(@VGS=-1.8V) RDS(ON)=31.0m?(max)(@VGS=-2.5V)

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會(huì)社東芝

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BipolarSmall-SignalTransistors

MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf

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東芝株式會(huì)社東芝

SSM3J130TU,LF

注:在重負(fù)荷下連續(xù)使用(例如高負(fù)荷的應(yīng)用溫度/電流/電壓的顯著變化溫度等)可能會(huì)導(dǎo)致本產(chǎn)品的下降即使在操作條件下(例如:工作溫度/電流/電壓等絕對(duì)最大額定參數(shù)。請(qǐng)?jiān)O(shè)計(jì)適當(dāng)?shù)目煽啃詫彶?/p>

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PDF上傳者：深圳兆威電子有限公司

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更多ERJUP3J130V供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-1-21 9:00:00

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