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F1222

PATENTEDGOLDMETALIZEDSILICONGATEENHANCEMENTMODERFPOWERVDMOSTRANSISTOR?

GeneralDescription SiliconVDMOSandLDMOStransistorsdesignedspecificallyforbroadbandRFapplications.SuitableforMilitaryRadios,CellularandPagingAmplifierBaseStations,BroadcastFM/AM,MRI,LaserDriverandothers. Polyfetprocessfeaturesgoldmetalforgreatlyextendedlifetime

Polyfet

Polyfet RF Devices

GP1222

CellsPerUnit6VoltagePerUnit12

CSB-BATTERYCSB Battery Co., Ltd.

希世比能源希世比能源科技股份有限公司

GP1222

generalpurposebatteryupto5

CSB-BATTERYCSB Battery Co., Ltd.

希世比能源希世比能源科技股份有限公司

HSB1222A

SPEAKERSOUNDGENERATORS

JLWORLD

JL World Company Limited.

ISFM1222

N-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=22A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=1000V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=600mΩ(Max)@VGS=20V DESCRIPTION ·DC-DCConverters ·BatteryChargers ·DCChoppers ·CurrentRegulators

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

KA1222

SEMICONDUCTORS

etc2List of Unclassifed Manufacturers

etc未分類制造商etc2未分類制造商

KA1222

DUALLOWNOISEEQUALIZERAMPLIFIER

DUALLOWNOISEEQUALIZERAMPLIFIER

SamsungSamsung semiconductor

三星三星半導體

KSC1222

NPN(LOWFREQUENCYLOWNOISEAMPLIFIER)

LOWFREQUENCYLOWNOISEAMPLIFIER Collector-BaseVoltageVcbo=50V LowNoiseLwvwlNL=40mV(Max)

SamsungSamsung semiconductor

三星三星半導體

KSD1222

PowerAmplifierApplications

PowerAmplifierApplications ?HighDCCurrentGain ?LowCollector-EmitterSaturationVoltage ?BuiltinaDamperDiodeatE-C ?DarlingtonTR ?ComplementtoKSB907

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導體飛兆/仙童半導體公司

KSD1222

SiliconNPNPowerTransistor

DESCRIPTION ·Collector-EmitterBreakdownVoltage -V(BR)CEO=40V(Min) ·Collector-EmitterSaturationVoltage -VCE(sat):=1.5V(Max)@IC=2A ·ComplementtoKSB907 APPLICATIONS ·Lowfrequencyamplifier

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

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更多ES1222LUA供應商 更新時間2025-2-5 8:14:00

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