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ESD112-B1-02EL

Marking：TE；Package：TSLP-2-20；TVS Diodes Transient Voltage Suppressor Diodes

1.1Features ?ESD/transientprotectionofRFsignallinesaccordingto: –IEC61000-4-2(ESD):±20kV(air/contact) –IEC61000-4-4(EFT):±40A(5/50ns) –IEC61000-4-5(surge):±3A(8/20μs) ?Maximumworkingvoltage:VRWM±5.3V ?Extremelylowcapacitance:CL=0.2pF(typical) ?Low

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

ESD112-B1-02EL

Marking：21；Package：DFN1006；ULTRA LOW CAPACITANCE BIDIRECTIONAL TVS DIODE

Features Ultralowleakage:nAlevel Operatingvoltage:5V Lowclampingvoltage Complieswithfollowingstandards: –IEC61000-4-2(ESD)immunitytest Airdischarge:±30kV Contactdischarge:±30kV –IEC61000-4-4(EFT)40A(5/50ns) –IEC61000-4-5(Lightning)4.5A(8/20μs) RoHSCompliant

LEIDITECHShanghai Leiditech Electronic Technology Co., Ltd

雷卯電子上海雷卯電子科技有限公司

ESD112-B1-02EL

Transient Voltage Suppressor Diodes

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

ESD112-B1-02ELS

TVS Diodes Transient Voltage Suppressor Diodes

1.1Features ?ESD/transientprotectionofRFsignallinesaccordingto: –IEC61000-4-2(ESD):±20kV(air/contact) –IEC61000-4-4(EFT):±40A(5/50ns) –IEC61000-4-5(surge):±3A(8/20μs) ?Maximumworkingvoltage:VRWM±5.3V ?Extremelylowcapacitance:CL=0.2pF(typical) ?Low

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

ESD112-B1-02ELS

Transient Voltage Suppressor Diodes

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

ESD112-B1-02

TVSDiodesTransientVoltageSuppressorDiodes

1.1Features ?ESD/transientprotectionofRFsignallinesaccordingto: –IEC61000-4-2(ESD):±20kV(air/contact) –IEC61000-4-4(EFT):±40A(5/50ns) –IEC61000-4-5(surge):±3A(8/20μs) ?Maximumworkingvoltage:VRWM±5.3V ?Extremelylowcapacitance:CL=0.2pF(typical) ?Low

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

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Infineon(英飛凌)
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更多ESD112-B1-02EL供應(yīng)商 更新時間2025-2-26 16:12:00

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