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MMDT5451

NPN/PNPPlastic-EncapsulateTransistors

MCCMicro Commercial Components

美微科美微科半導(dǎo)體股份有限公司

MMDT5451

DUALTRANSISTOR

DUALTRANSISTOR(NPN+PNP) FEATURES ●EpitaxialPlanarDieConstruction ●IdealforlowPowerAmplificationandSwitching ●One5551(NPN),one5401(PNP)

JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd

長(zhǎng)電科技江蘇長(zhǎng)電科技股份有限公司

MMDT5451

Multi-ChipGeneralPurposeTRANSISTOR(PNPandNPN)

FEATURES Powerdissipation PCM:200mW(Tamb=25℃) Collectorcurrent ICM:±200mA Collector-basevoltage V(BR)CBO:180/-160V Operatingandstoragejunctiontemperaturerange TJ,Tstg:-55℃to+150℃

WINNERJOINSHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD

永而佳實(shí)業(yè)深圳市永而佳實(shí)業(yè)有限公司

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更多ESD5451XZ供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-5-8 15:31:00