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ESD851	文件：1.09645 Mbytes Page：17 Pages	ESD851 36V Bidirectional ESD Protection Diode in SOD-323 1Features ?IEC61000-4-2ESDprotection: –±30kVcontactdischarge –±30kVairgapdischarge ?IEC61000-4-5surgeprotection: –6.5A(8/20μs) –Clampingvoltage:71Vat6.5A(8/20μs) ?IOCapacitance:4.3pF(typical) ?DCbreakdownvoltage:37.8V(minimum) ?Ultralowleakagecurrent:	TI1Texas Instruments 德州儀器	TI1
ESD851DYFR	文件：1.09645 Mbytes Page：17 Pages	ESD851 36V Bidirectional ESD Protection Diode in SOD-323 1Features ?IEC61000-4-2ESDprotection: –±30kVcontactdischarge –±30kVairgapdischarge ?IEC61000-4-5surgeprotection: –6.5A(8/20μs) –Clampingvoltage:71Vat6.5A(8/20μs) ?IOCapacitance:4.3pF(typical) ?DCbreakdownvoltage:37.8V(minimum) ?Ultralowleakagecurrent:	TI1Texas Instruments 德州儀器	TI1
EXB851	文件：303.45 Kbytes Page：12 Pages	IGBT-DrivingHybridICs	FujiFuji Electric 富士電機(jī)富士電機(jī)株式會(huì)社	Fuji
FSF851D	文件：2.52124 Mbytes Page：10 Pages	5-PHASESTEPPINGSYSTEMS	SANYOSanyo Semicon Device 三洋三洋電機(jī)株式會(huì)社	SANYO
FSF851S	文件：2.52124 Mbytes Page：10 Pages	5-PHASESTEPPINGSYSTEMS	SANYOSanyo Semicon Device 三洋三洋電機(jī)株式會(huì)社	SANYO
FSF851S-XB	文件：2.52124 Mbytes Page：10 Pages	5-PHASESTEPPINGSYSTEMS	SANYOSanyo Semicon Device 三洋三洋電機(jī)株式會(huì)社	SANYO
FSM851D	文件：2.52124 Mbytes Page：10 Pages	5-PHASESTEPPINGSYSTEMS	SANYOSanyo Semicon Device 三洋三洋電機(jī)株式會(huì)社	SANYO
FSM851S	文件：2.52124 Mbytes Page：10 Pages	5-PHASESTEPPINGSYSTEMS	SANYOSanyo Semicon Device 三洋三洋電機(jī)株式會(huì)社	SANYO
FX851	文件：139.13 Kbytes Page：4 Pages	DC-DCConverterApplications Features ?CompositetypecomposedofalowON-resistancePchannelMOSFETforultrahigh-speedswitchingandlow-voltagedrivingandafast-recovery,lowforward-voltageSchottkybarrierdiode.Facilitateshigh-densitymounting. ?TheFX851isformedwith2chips,onebeingequivalenttothe2SJ1	SANYOSanyo Semicon Device 三洋三洋電機(jī)株式會(huì)社	SANYO
FZT851	文件：53.38 Kbytes Page：3 Pages	NPNSILICONPLANARHIGHCURRENT(HIGHPERFORMANCE)TRANSISTORS FEATURES Extremelylowequivalenton-resistance;RCE(sat)44m?at5A 6Ampscontinuouscurrent,upto20Ampspeakcurrent Verylowsaturationvoltages ExcellenthFEcharacteristicsspecifiedupto10Amps	Zetex Zetex Semiconductors	Zetex
FZT851	文件：38.71 Kbytes Page：2 Pages	NPNSiliconPlanarHighCurrent(HighPerformance)Transistor ■Features ●CollectorCurrentCapabilityIC=6A ●CollectorEmitterVoltageVCEO=60V ●ComplementarytoFZT951	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信電子廣東科信實(shí)業(yè)有限公司	KEXIN
FZT851	文件：64.9 Kbytes Page：3 Pages	SOT223NPNSILICONPLANARHIGHCURRENT Features ?BVCEO>60V ?IC=6AHighContinuousCollectorCurrent ?ICM=20APeakPulseCurrent ?LowSaturationVoltageVCE(sat)	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
FZT851	文件：455.05 Kbytes Page：7 Pages	60VNPNMEDIUMPOWERTRANSISTOR	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
FZT851QTA	文件：351.83 Kbytes Page：7 Pages	60VNPNMEDIUMPOWERTRANSISTORINSOT223 Features ?BVCEO>60V ?IC=6AHighContinuousCollectorCurrent ?ICM=20APeakPulseCurrent ?LowSaturationVoltageVCE(sat)	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
FZT851QTA	文件：455.05 Kbytes Page：7 Pages	60VNPNMEDIUMPOWERTRANSISTOR	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
FZT851TA	文件：455.05 Kbytes Page：7 Pages	60VNPNMEDIUMPOWERTRANSISTOR	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
FZT851TA	文件：351.83 Kbytes Page：7 Pages	60VNPNMEDIUMPOWERTRANSISTORINSOT223 Features ?BVCEO>60V ?IC=6AHighContinuousCollectorCurrent ?ICM=20APeakPulseCurrent ?LowSaturationVoltageVCE(sat)	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
GI851	文件：70.43 Kbytes Page：4 Pages	FastSwitchingPlasticRectifier FEATURES ?Fastswitchingforhighefficiency ?Lowforwardvoltagedrop ?Lowleakagecurrent ?Highforwardsurgecapability ?Solderdip275°Cmax.10s,perJESD22-B106 ?ComplianttoRoHSdirective2002/95/ECandin ??accordancetoWEEE2002/96/EC TYPICALAPPLICATIONS ??Forusei	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
GI851	文件：44.67 Kbytes Page：2 Pages	FASTSWITCHINGPLASTICRECTIFIER FEATURES ?PlasticpackagehasUnderwritersLaboratoryFlammabilityClassification94V-0 ?Highsurgecurrentcapability ?Fastswitchingforhighefficiency ?Constructionutilizesvoid-freemoldedplastictechnique ?Highforwardcurrentoperation ?Hightemperaturesolderingguaranteed:2	GE GE Industrial Company	GE
GI851	文件：80.86 Kbytes Page：4 Pages	FastSwitchingPlasticRectifier FEATURES ?Fastswitchingforhighefficiency ?Lowforwardvoltagedrop ?Lowleakagecurrent ?Highforwardsurgecapability ?Solderdip275°Cmax.10s,perJESD22-B106 ?Materialcategorization:Fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 TYPICALAPPLICATIONS	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay

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供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫(kù)存	備注	價(jià)格
深圳市納立科技有限公司	ESD8551N2T5G		三年內(nèi)		1983	只做原裝正品	詢價(jià)
深圳市粵駿騰電子科技有限公司	ESD8551N2T5G	SXSEMI	24+	SOD882	900000	原裝進(jìn)口特價(jià)	詢價(jià)
深圳市歐亞佳電子有限公司	ESD8551N2T5G	ON	20+	SMD	11520	特價(jià)全新原裝公司現(xiàn)貨	詢價(jià)
深圳市安富世紀(jì)電子有限公司	ESD8551N2T5G	ON Semiconductor	23+	X2DFN-2	50000	全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨	詢價(jià)
深圳市吉銀科技有限公司	ESD8551N2T5G	ON(安森美)			6000		詢價(jià)
深圳市美思瑞電子科技有限公司	ESD8551N2T5G	ON/安森美	22+	SMD	12245	現(xiàn)貨,原廠原裝假一罰十!	詢價(jià)
深圳廊盛科技有限公司	ESD8551N2T5G	ON/安森美	22+	SMD	50000	只做原裝正品,假一罰十,歡迎咨詢	詢價(jià)
深圳市威雅利發(fā)展有限公司	ESD8551N2T5G	ON Semiconductor	18+	X2DFN-2	48	一級(jí)代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力	詢價(jià)
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更多ESD851供應(yīng)商更新時(shí)間2025-1-3 22:28:00

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