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ESDA8V2-1J

HighEOSandESDprotectionlevel

Features BreakdownvoltageVBR=8.2V Unidirectionaldevice Highpeakpowerdissipation:500W (8/20μswaveform) ESDprotectionlevelbetterthan IEC61000-4-2,level4: 30kVcontactdischarge Lowleakagecurrent(

UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd.

友臺(tái)半導(dǎo)體廣東友臺(tái)半導(dǎo)體有限公司

ESDA8V2-1J

EOSandESDTransil??protectionforchargerandbatteryport

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

PESDA8V2-1J

1-LineUnl-directionalTVSDiode

Features *350Wpeakpulsepower(8/20ps) *Protectsonedataorpowerline *Ultralowleakage:nAlevel +Operatingvoltage:5V *Ultralowclampingvoltage +Complieswithfollowingstandards: —IEC61000-4-2(ESD)immunitytest Airdischarge:+30kV/ Contactdischarge:+30kV —IEC61000-

TECHPUBLICTECH PUBLIC Electronics co LTD

臺(tái)舟電子臺(tái)舟電子股份有限公司

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
DIODES/美臺(tái)
23+
NA
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原裝正品代理渠道價(jià)格優(yōu)勢(shì)
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庫(kù)存剛更新加微13425146986
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QFN-2L
7318
向鴻代理渠道,有現(xiàn)貨常備料,優(yōu)勢(shì)料
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QFN-2L
900000
原裝進(jìn)口特價(jià)
 詢價(jià)
更多ESDA8V2-1J/J供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-1-3 16:00:00

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