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ESM2012DV

NPN DARLINGTON POWER MODULE

■HIGHCURRENTPOWERBIPOLARMODULE ■VERYLOWRthJUNCTIONTOCASE ■SPECIFIEDACCIDENTALOVERLOADAREAS ■ULTRAFASTFREEWHEELINGDIODE ■FULLYINSULATEDPACKAGE(ULCOMPLIANT) ■EASYTOMOUNT ■LOWINTERNALPARASITICINDUCTANCE INDUSTRIALAPPLICATIONS: ■MOTORCONTROL

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導體意法半導體集團

ESM2012DV

NPN DARLINGTON POWER MODULE

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導體意法半導體集團

ESM2012DV

Package：ISOTOP；包裝：散裝 類別：分立半導體產(chǎn)品 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個 描述：TRANS NPN DARL 120V 120A ISOTOP

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導體意法半導體集團

ESM2012DV_03

NPN DARLINGTON POWER MODULE

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導體意法半導體集團

E-TA2012

THERMALVARIABLEATTENUATORS

COPALCopal Electronics

尼得科科智博電子尼得科科智博電子(上海)有限公司

E-TA2012T

THERMALVARIABLEATTENUATORS

COPALCopal Electronics

尼得科科智博電子尼得科科智博電子(上海)有限公司

EUA2012

2.7-W/CHStereoFilter-lessClass-DAudioPowerAmplifier

EUTECHEutech Microelectronics Inc

德信科技德信科技股份有限公司

EUA2012A

2.5-W/CHStereoFilter-lessClass-DAudioPowerAmplifierwithAuto-Recovery

EUTECHEutech Microelectronics Inc

德信科技德信科技股份有限公司

F2012

PATENTEDGOLDMETALIZEDSILICONGATEENHANCEMENTMODERFPOWERVDMOSTRANSISTOR?

GeneralDescription SiliconVDMOSandLDMOStransistorsdesignedspecificallyforbroadbandRFapplications.SuitableforMilitaryRadios,CellularandPagingAmplifierBaseStations,BroadcastFM/AM,MRI,LaserDriverandothers.PolyfetTMrocessfeaturesgoldmetalforgreatlyextendedlifetim

Polyfet

Polyfet RF Devices

F2012ERW

LowCost,Compact20W,2:1InputRangeDC/DCConverters

KeyFeatures: ?20WOutputPower ?2:1InputVoltageRange ?1,500VDCIsolation ?Single&DualOutputs ?Efficiencyto86 ?Compact1.6x2In.Case ?-40°Cto+71°COperation ?IndustryStandardPin-Out ?LowestCost!!

MPD

MPD (Memory Protection Devices)

晶體管資料

  • 型號：

    ESM2012DV

  • 別名：

    三極管、晶體管、晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家：

  • 制作材料：

    Si-NPN

  • 性質(zhì)：

  • 封裝形式：

    貼片封裝

  • 極限工作電壓：

    125V

  • 最大電流允許值：

    120A

  • 最大工作頻率：

    <1MHZ或未知

  • 引腳數(shù)：

    4

  • 可代換的型號：

  • 最大耗散功率：

    175W

  • 放大倍數(shù)：

  • 圖片代號：

    G-54

  • vtest：

    125

  • htest：

    999900

  • atest：

    120

  • wtest：

    175

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    ESM2012DV

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 類別：

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個

  • 包裝：

    散裝

  • 晶體管類型：

    NPN - 達林頓

  • 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降（最大值）：

    1.5V @ 1A，100A

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：

    1200 @ 100A，5V

  • 工作溫度：

    150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    底座安裝

  • 封裝/外殼：

    ISOTOP

  • 供應商器件封裝：

    ISOTOP?

  • 描述：

    TRANS NPN DARL 120V 120A ISOTOP

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多ESM2012DV供應商 更新時間2025-4-17 16:40:00

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