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ET110E10-Z

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MOSFETsSiliconN-channelMOS

Applications ?High-EfficiencyDC-DCConverters ?SwitchingVoltageRegulators ?MotorDrivers Features (1)High-speedswitching (2)Smallgatecharge:QSW=9.3nC(typ.) (3)Smalloutputcharge:Qoss=32nC(typ.) (4)Lowdrain-sourceon-resistance:RDS(ON)=9.0mΩ(typ.)(VGS=10V

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更多ET110E10-Z供應(yīng)商 更新時(shí)間2021-9-14 10:50:00

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