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FMMT411FDBWQ

NPNLOWVOLTAGEAVALANCHETRANSISTORINDFN2020-3

Features -IUSB=35Atypical -BVCBO>80V -BVCEO>15V -SpecificallyDesignedforLowVoltageAvalancheModeOperation -LowProfile0.62mmHighPackageforThinApplications -SidewallTinPlatingforWettableFlanksinAOI -TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant(Notes1&2) -Ha

DIODES

Diodes Incorporated

FMMT411Q

NPNLOWVOLTAGEAVALANCHETRANSISTORINSOT23

Features IUSB=35Atypical BVCES>80V BVCEO>15V SpecificallyDesignedforLowVoltageAvalancheModeOperation TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant(Notes1&2) HalogenandAntimonyFree.“Green”Device(Note3) TheDIODESTMFMMT411Qissuitableforautomotive applicationsrequiri

DIODES

Diodes Incorporated

FMMT411QTA

NPNLOWVOLTAGEAVALANCHETRANSISTORINSOT23

Features IUSB=35Atypical BVCES>80V BVCEO>15V SpecificallyDesignedforLowVoltageAvalancheModeOperation TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant(Notes1&2) HalogenandAntimonyFree.“Green”Device(Note3) TheDIODESTMFMMT411Qissuitableforautomotive applicationsrequiri

DIODES

Diodes Incorporated

FMMT411QTD

NPNLOWVOLTAGEAVALANCHETRANSISTORINSOT23

Features IUSB=35Atypical BVCES>80V BVCEO>15V SpecificallyDesignedforLowVoltageAvalancheModeOperation TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant(Notes1&2) HalogenandAntimonyFree.“Green”Device(Note3) TheDIODESTMFMMT411Qissuitableforautomotive applicationsrequiri

DIODES

Diodes Incorporated

FMMT411TA

NPNLOWVOLTAGEAVALANCHETRANSISTORINSOT23

Features 80APeakAvalancheCurrent BVCES>80V BVCEO>15V SpecificallyDesignedforLowVoltageAvalancheModeOperation TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant(Notes1&2) HalogenandAntimonyFree.“Green”Device(Note3) Forautomotiveapplicationsrequiringspecificchangecontrol

DIODES

Diodes Incorporated

FMMT411TD

NPNLOWVOLTAGEAVALANCHETRANSISTORINSOT23

Features 80APeakAvalancheCurrent BVCES>80V BVCEO>15V SpecificallyDesignedforLowVoltageAvalancheModeOperation TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant(Notes1&2) HalogenandAntimonyFree.“Green”Device(Note3) Forautomotiveapplicationsrequiringspecificchangecontrol

DIODES

Diodes Incorporated

G411SD

SURFACEMOUNT,SCHOTTKYBARRIERDIODEVOLTAGE40V,CURRENT0.5A

Description TheG411SDisdesignedforlowpowerrectification

GTMGTM CORPORATION

勤益投資控股勤益投資控股股份有限公司

G411SD

TheG411SDisdesignedforlowpowerrectification

ETLE-Tech Electronics LTD

亞歷電子亞歷電子有限公司

GD411SD

SURFACEMOUNTSCHOTTKYBARRIERDIODE

GTMGTM CORPORATION

勤益投資控股勤益投資控股股份有限公司

GD411SD

TheGD411SDisdesignedforlowpowerrectification

ETLE-Tech Electronics LTD

亞歷電子亞歷電子有限公司

晶體管資料

  • 型號(hào)：

    ET411

  • 別名：

    三極管、晶體管、晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家：

  • 制作材料：

    Si-NPN

  • 性質(zhì)：

    低頻或音頻放大 （LF）_功率放大 （L）

  • 封裝形式：

  • 極限工作電壓：

    300V

  • 最大電流允許值：

    7A

  • 最大工作頻率：

    <1MHZ或未知

  • 引腳數(shù)：

  • 可代換的型號(hào)：

    R410,R411,3DD164E,

  • 最大耗散功率：

    100W

  • 放大倍數(shù)：

  • 圖片代號(hào)：

    NO

  • vtest：

    300

  • htest：

    999900

  • atest：

    7

  • wtest：

    100

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
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DIP16
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更多ET411供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-4-23 16:30:00

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