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F0118G	文件：65.519 Kbytes Page：6 Pages	GaAs-Infrarot-Lumineszenzdiode (950 nm, Enhanced Power) GaAs Infrared Emitting Diode (950 nm, Enhanced Power) Features ?Typ.totalradiantpower:24mW@100mAin TOPLED?package. ?Chipsize300x300μm2 ?Peakwavelength:950nm ?VeryhighlyefficientGaAsLED ?Goodlinearity(Ie=f[IF])athighcurrents ?DCorpulsedoperationsarepossible ?Highreliability ?Highpulsehandlingcapa	OSRAMOSRAM GmbH 艾邁斯歐司朗歐司朗光電半導體	OSRAM
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