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GBPC1016PS	文件：54.63 Kbytes Page：4 Pages	10AGLASSPASSIVATEDSINGLEPHASEBRIDGERECTIFIER GlassPassivatedDieConstruction LowReverseLeakageCurrent LowPowerLoss,HighEfficiency HeatsinkIntegratedEpoxyCasefor MaximumHeatDissipation LowThermalResistance HighSurgeCurrentCapability RecognizedFile#E157705	WTEWon-Top Electronics 毅星電子毅星電子股份有限公司	WTE
GBPC1016S	文件：73.62 Kbytes Page：4 Pages	10AGLASSPASSIVATEDSINGLE-PHASEBRIDGERECTIFIER Features ●GlassPassivatedDieConstruction ●LowForwardVoltageDrop ●HighCurrentCapability ●HighReliability ●HighSurgeCurrentCapability ●DesignedforSavingMountingSpace ●RecognizedFile#E157705	WTEWon-Top Electronics 毅星電子毅星電子股份有限公司	WTE
GBPC1016S	文件：53.42 Kbytes Page：4 Pages	10AGLASSPASSIVATEDSINGLEPHASEBRIDGERECTIFIER GlassPassivatedDieConstruction LowForwardVoltageDrop HighCurrentCapability LowThermalResistance HighSurgeCurrentCapability VerticalMountIdeallySuitedfor SpaceConstrainedApplications RecognizedFile#E157705	WTEWon-Top Electronics 毅星電子毅星電子股份有限公司	WTE
GBPC1016W	文件：62.3 Kbytes Page：4 Pages	10AGLASSPASSIVATEDSINGLE-PHASEBRIDGERECTIFIER Features ●GlassPassivatedDieConstruction ●LowReverseLeakageCurrent ●LowPowerLoss,HighEfficiency ●ElectricallyIsolatedEpoxyCaseforMaximumHeatDissipation ●CasetoTerminalIsolationVoltage2500V ●RecognizedFile#E157705	WTEWon-Top Electronics 毅星電子毅星電子股份有限公司	WTE
GCK1016	文件：707.54 Kbytes Page：2 Pages	ELECTRICAL&MECHANICALSPECIFICATION FEATURES Graycoded,standardandcomplimentaryversions PCBTerminals +extrastabilisingterminals Standard22.5°indexing4-Bit Standard45°indexing3-Bit Adjustablestopstorestrictnumberofpositions Standardsilvercontacts,goldflashed Moulded27.5mmdiameter Spindl	LORLIN Lorlin Electronics Ltd.	LORLIN
HAT1016R	文件：56.32 Kbytes Page：9 Pages	SiliconPChannelPowerMOSFETHighSpeedPowerSwitching Features ?Lowon-resistance ?Capableof4Vgatedrive ?Lowdrivecurrent ?Highdensitymounting	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi
HAT1016R	文件：97.09 Kbytes Page：8 Pages	SiliconPChannelPowerMOSFETHighSpeedPowerSwitching Features ?Lowon-resistance ?Capableof4Vgatedrive ?Lowdrivecurrent ?Highdensitymounting	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
HAT1016R	文件：1.33593 Mbytes Page：5 Pages	DualP-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD. 杜因特深圳市杜因特半導(dǎo)體有限公司	DOINGTER
HAT1016R-EL-E	文件：97.09 Kbytes Page：8 Pages	SiliconPChannelPowerMOSFETHighSpeedPowerSwitching Features ?Lowon-resistance ?Capableof4Vgatedrive ?Lowdrivecurrent ?Highdensitymounting	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS

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