F1070中文資料Polyfet數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書
| 廠商型號(hào) |
F1070 |
| 功能描述 | PATENTED GOLD METALIZED SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR? |
| 文件大小 |
38.23 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
2 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | Polyfet RF Devices |
| 企業(yè)簡稱 |
Polyfet |
| 中文名稱 | Polyfet RF Devices官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識(shí) |  |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時(shí)間 | 2025-2-25 22:30:00 |
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General Description
Silicon VDMOS and LDMOS transistors designed specifically for broadband RF applications. Suitable for Military Radios, Cellular and Paging Amplifier Base Stations, Broadcast FM/AM, MRI, Laser Driver and others.
Polyfet process features gold metal for greatly extended lifetime. Low output capacitance and high Ft enhance broadband performance
PATENTED GOLD METALIZED SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR
200Watts Gemini
Package Style AH
HIGH EFFICIENCY, LINEAR, HIGH GAIN, LOW NOISE
產(chǎn)品屬性
- 型號(hào)：
F1070
- 制造商：
POLYFET
- 制造商全稱：
Polyfet RF Devices
- 功能描述：
PATENTED GOLD METALIZED SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
南京國博 |
2020+ |
DFN2X2- |
80000 |
只做自己庫存,全新原裝進(jìn)口正品假一賠百,可開13%增 |
詢價(jià) | ||
南京國博 |
23+ |
NA/ |
9070 |
原裝現(xiàn)貨,當(dāng)天可交貨,原型號(hào)開票 |
詢價(jià) | ||
Sam&wing(芯網(wǎng)) |
23+ |
插件,P=5.08mm |
6000 |
誠信服務(wù)，絕對(duì)原裝原盤 |
詢價(jià) | ||
FAI |
23+ |
TSSOP |
1836 |
全新原裝現(xiàn)貨 |
詢價(jià) | ||
南京國博 |
21+ |
DFN2X2-8L |
5820 |
原裝現(xiàn)貨假一賠十 |
詢價(jià) | ||
NS |
24+ |
TSSOP20 |
6980 |
原裝現(xiàn)貨,可開13%稅票 |
詢價(jià) | ||
T&B |
23+ |
NA |
279 |
專做原裝正品,假一罰百! |
詢價(jià) | ||
TI/TEXAS |
23+ |
PLCC-44 |
8931 |
詢價(jià) | |||
TI |
2023+ |
QFP |
50000 |
原裝現(xiàn)貨 |
詢價(jià) | ||
Triad |
2306+ |
NA |
6680 |
原裝正品公司現(xiàn)貨,實(shí)單來談 |
詢價(jià) |
