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F1129MBNELI

50Ω SE-In – 100Ω DIFF-Out Amplifier 3.0GHz to 4.2GHz

Features RFrange:3.0GHzto4.2GHz Gain=19dBat3.55GHz Noisefigure=1.8dBat3.55GHz OIP3=+32dBmat3.55GHz OutputP1dB=+18dBmat3.55GHz Gainvariationovertemperature=±0.15dBtypical 50Ωsingle-endedinputimpedances 100Ωdifferentialoutputimpedances 3.3Vor5Vp

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

F1129MBNELI

Package：12-WFQFN 裸露焊盤；包裝：卷帶（TR） 類別：RF/IF，射頻/中頻和 RFID 射頻放大器 描述：VFQFPN 2.00X2.00X0.75 MM, 0.50MM

Renesas Electronics America Inc

Renesas Electronics America Inc

Renesas Electronics America Inc

F1129MBNELI8

50Ω SE-In – 100Ω DIFF-Out Amplifier 3.0GHz to 4.2GHz

Features RFrange:3.0GHzto4.2GHz Gain=19dBat3.55GHz Noisefigure=1.8dBat3.55GHz OIP3=+32dBmat3.55GHz OutputP1dB=+18dBmat3.55GHz Gainvariationovertemperature=±0.15dBtypical 50Ωsingle-endedinputimpedances 100Ωdifferentialoutputimpedances 3.3Vor5Vp

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

F1129MBNELI8

Package：12-WFQFN 裸露焊盤；包裝：卷帶（TR） 類別：RF/IF，射頻/中頻和 RFID 射頻放大器 描述：VFQFPN 2.00X2.00X0.75 MM, 0.50MM

Renesas Electronics America Inc

Renesas Electronics America Inc

Renesas Electronics America Inc

GP1129

U.S.ELECTRICALDIVISIONMANCHESTER,NH03108

etc2List of Unclassifed Manufacturers

etc未分類制造商etc2未分類制造商

HAT1129R

P-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology

DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD.

杜因特深圳市杜因特半導(dǎo)體有限公司

HTT1129E

SiliconNPNEpitaxialTwinTransistor

Features ?Include2transistorsinasmallsizeSMDpackage:EMFPAK–6(6Leads:1.2x0.8x0.5mm)

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

HTT1129EZTL-E

SiliconNPNEpitaxialTwinTransistor

Features ?Include2transistorsinasmallsizeSMDpackage:EMFPAK–6(6Leads:1.2x0.8x0.5mm)

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

ISF1129

N-ChannelPowerMOSFET

DESCRIPTION ·AvalancheRated ·DrainSourceVoltage- :VDSS=900V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=230mΩ(Max)@VGS=10V ·100%avalanchetested APPLICATIONS ·HighPowerDensity ·EasytoMount ·SpaceSavings

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

LT1129

3A,5A,7.5ALowDropoutPositiveFixedRegulators

Features -Three-Terminal3.3V,3.6V,5Vand12V -OutputCurrentof3A,5Aor7.5A -OperatesDownto1VDropout -GuaranteedDropoutVoltageatMultipleCurrentLevels -LineRegulation:0.015 -LoadRegulation:0.1 -100ThermalLimitFunctionalTest -AdjustableVersionsAvailable

LINERLinear Technology

凌力爾特凌特半導(dǎo)體

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    F1129MBNELI

  • 制造商：

    Renesas Electronics America Inc

  • 類別：

    RF/IF，射頻/中頻和 RFID > 射頻放大器

  • 包裝：

    卷帶（TR）

  • 頻率：

    3GHz ~ 4.2GHz

  • P1dB：

    18dBm

  • 增益：

    18dB

  • 噪聲系數(shù)：

    2.2dB

  • 射頻類型：

    3G/4G，TDD，F(xiàn)DD

  • 電壓 - 供電：

    5V

  • 電流 - 供電：

    70mA

  • 測(cè)試頻率：

    3.6GHz

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    12-WFQFN 裸露焊盤

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    12-VFQFPN（2x2）

  • 描述：

    VFQFPN 2.00X2.00X0.75 MM, 0.50MM

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
RENESAS(瑞薩)/IDT
2117+
VFQFPN-12(2x2)
315000
nan一級(jí)代理專營(yíng)品牌!原裝正品,優(yōu)勢(shì)現(xiàn)貨,長(zhǎng)期排單
 詢價(jià)
RENESAS(瑞薩)/IDT
2021+
VFQFPN-12(2x2)
499
詢價(jià)
RENESAS瑞薩/IDT
23+
VFQFPN-12(2x2)
10000
原廠授權(quán)一級(jí)代理,專業(yè)海外優(yōu)勢(shì)訂貨,價(jià)格優(yōu)勢(shì)、品種
 詢價(jià)
RENESAS(瑞薩)/IDT
23+
QFN12EP(2x2)
7350
現(xiàn)貨供應(yīng),當(dāng)天可交貨!免費(fèi)送樣,原廠技術(shù)支持!!!
 詢價(jià)
RENESAS(瑞薩)/IDT
23+
QFN12EP(2x2)
6000
誠(chéng)信服務(wù)，絕對(duì)原裝原盤
 詢價(jià)
24+
N/A
82000
一級(jí)代理-主營(yíng)優(yōu)勢(shì)-實(shí)惠價(jià)格-不悔選擇
 詢價(jià)
Renesas Electronics Corporatio
24+
12-WFQFN 裸露焊盤
9350
獨(dú)立分銷商 公司只做原裝 誠(chéng)心經(jīng)營(yíng) 免費(fèi)試樣正品保證
 詢價(jià)
SIPEX
23+
SOT-23-3
12735
詢價(jià)
MICREL
1742+
SOT23-6
98215
只要網(wǎng)上有絕對(duì)有貨!只做原裝正品!
 詢價(jià)
SYNOXO
19+
SOT23-6
70757
原廠代理渠道,每一顆芯片都可追溯原廠；
 詢價(jià)
更多F1129MBNELI供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-2-1 15:00:00

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