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F1207RF/IF射頻/中頻RFID的射頻放大器規(guī)格書(shū)PDF中文資料

F1207
廠商型號(hào)

F1207

參數(shù)屬性

F1207 封裝/外殼為28-WFQFN 裸露焊盤(pán);包裝為卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶;類(lèi)別為RF/IF射頻/中頻RFID的射頻放大器;產(chǎn)品描述:IC AMP GP 230MHZ-300MHZ 28VFQFPN

功能描述

PATENTED GOLD METALIZED SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR

文件大小

37.99 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

2 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 Polyfet RF Devices
企業(yè)簡(jiǎn)稱(chēng)

Polyfet

中文名稱(chēng)

Polyfet RF Devices官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

下載地址一下載地址二

更新時(shí)間

2024-12-29 11:10:00

F1207規(guī)格書(shū)詳情

20 Watts Push - Pull

Package Style AQ

HIGH EFFICIENCY, LINEAR, HIGH GAIN, LOW NOISE

General Description

Silicon VDMOS and LDMOS transistors designed specifically for broadband RF applications. Suitable for Military Radios, Cellular and Paging Amplifier Base Stations, Broadcast FM/AM, MRI, Laser Driver and others.

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    F1207NBGI

  • 制造商:

    Renesas Electronics America Inc

  • 類(lèi)別:

    RF/IF,射頻/中頻和 RFID > 射頻放大器

  • 包裝:

    卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 頻率:

    230MHz ~ 300MHz

  • P1dB:

    19.4dBm

  • 增益:

    20dB

  • 噪聲系數(shù):

    3.7dB

  • 射頻類(lèi)型:

    通用

  • 電壓 - 供電:

    4.75V ~ 5.25V

  • 電流 - 供電:

    110mA

  • 測(cè)試頻率:

    100MHz

  • 安裝類(lèi)型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    28-WFQFN 裸露焊盤(pán)

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    28-VFQFPN(5x5)

  • 描述:

    IC AMP GP 230MHZ-300MHZ 28VFQFPN

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
N/A
23+
NA
10000
原廠授權(quán)一級(jí)代理,專(zhuān)業(yè)海外優(yōu)勢(shì)訂貨,價(jià)格優(yōu)勢(shì)、品種
詢(xún)價(jià)
24+
N/A
65000
一級(jí)代理-主營(yíng)優(yōu)勢(shì)-實(shí)惠價(jià)格-不悔選擇
詢(xún)價(jià)
MORNSUN
23+
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23954
##公司主營(yíng)品牌長(zhǎng)期供應(yīng)100%原裝現(xiàn)貨可含稅提供技術(shù)
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24+
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35200
一級(jí)代理/放心采購(gòu)
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IDT
22+
28VFQFPN
9000
原廠渠道,現(xiàn)貨配單
詢(xún)價(jià)
IDT
21+
28VFQFPN
13880
公司只售原裝,支持實(shí)單
詢(xún)價(jià)
MORNSUN
22+
DIP
5500
進(jìn)口原裝!現(xiàn)貨庫(kù)存
詢(xún)價(jià)