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INA131AP

PrecisionG=100INSTRUMENTATIONAMPLIFIER

BURR-BROWN

Burr-Brown (TI)

INA131AP

PrecisionG=100INSTRUMENTATIONAMPLIFIER

TI1Texas Instruments

德州儀器

INA131BP

PrecisionG=100INSTRUMENTATIONAMPLIFIER

BURR-BROWN

Burr-Brown (TI)

INA131BP

PrecisionG=100INSTRUMENTATIONAMPLIFIER

TI1Texas Instruments

德州儀器

IRF131

N-CHANNELPOWERMOSFETS

FEATURES ●LowRDS(on) ●Improvedinductiveruggedness ●Fastswitchingtimes ●Ruggedpolysilicongatecellstructure ●Lowinputcapacitance ●Extendedsafeoperatingarea ●Improvedhightemperaturereliability ●TO-3package(Standard)

SamsungSamsung semiconductor

三星三星半導體

IRF131

N-ChannelPowerMOSFETs,20A,60-100V

Description Thesedevicesaren-channel,enhancementmode,powerMOSFETsdesignedespeciallyforhighpower,highspeedapplications,suchasswitchingpower,supplies,UPS,ACandDCmotorcontrol,relayandsolenoiddriversandhighenergypulsecircuits. ●LowRDS(on) ●VGSRatedat±20V ●

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導體飛兆/仙童半導體公司

IRF131

N-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

IRFF131

N-CHANNELENHANCEMENT-MODEPOWERFIELD-EFFECTTRANSISTORS

N-ChannelEnhancement-ModePowerField-EffectTransistors 7.0Aand8.0A,60V-100VrDS(on)=0.18Ωand0.25Ω

GESS

GE Solid State

IRFP131

N-CHANNELPOWERMOSFETS

SamsungSamsung semiconductor

三星三星半導體

IRFS131

iscN-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

詳細參數(shù)

  • 型號:

    F131P

  • 功能描述:

    電源變壓器 XFMR PC MNT 8V CT

  • RoHS:

  • 制造商:

    Triad Magnetics

  • 功率額定值:

    12 VA

  • 初級電壓額定值:

    115 V/230 V

  • 次級電壓額定值:

    12 V/24 V

  • 安裝風格:

    SMD/SMT

  • 一次繞組:

    Dual Primary Winding

  • 二次繞組:

    Dual Secondary Winding

  • 長度:

    2.5 in

  • 寬度:

    2 in

  • 高度:

    1.062 in

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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23+
SOP14
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全新原裝現(xiàn)貨
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MOT優(yōu)勢
23+
SOP3.9
10000
原廠授權一級代理,專業(yè)海外優(yōu)勢訂貨,價格優(yōu)勢、品種
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24+
N/A
73000
一級代理-主營優(yōu)勢-實惠價格-不悔選擇
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更多F131P供應商 更新時間2025-4-17 10:41:00