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F1427中文資料Polyfet數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)

F1427
廠商型號(hào)

F1427

功能描述

PATENTED GOLD METALIZED SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR?

文件大小

41.82 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

2 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 Polyfet RF Devices
企業(yè)簡(jiǎn)稱

Polyfet

中文名稱

Polyfet RF Devices官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-3-15 10:09:00

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F1427規(guī)格書(shū)詳情

General Description

Silicon VDMOS and LDMOS transistors designed specifically for broadband RF applications. Suitable for Military Radios, Cellular and Paging Amplifier Base Stations, Broadcast FM/AM, MRI, Laser Driver and others.

Polyfet process features gold metal for greatly extended lifetime. Low output capacitance and high Ft enhance broadband performance

PATENTED GOLD METALIZED SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR

250 Watts Gemini Package Style AR

HIGH EFFICIENCY, LINEAR, HIGH GAIN, LOW NOISE

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    F1427

  • 制造商:

    POLYFET

  • 制造商全稱:

    Polyfet RF Devices

  • 功能描述:

    PATENTED GOLD METALIZED SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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