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F1778433M3IBT0_電容器 薄膜電容器EMI，RFI 抑制-TS

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原廠料號：F1778433M3IBT0品牌：Vishay Beyschlag/Draloric/BC Components

資料說明：CAP FILM 0.33UF 20% 630VDC RAD

F1778433M3IBT0是電容器 > 薄膜電容器。制造商TS/T&S Brass. All Rights Reserved.生產(chǎn)封裝徑向的F1778433M3IBT0薄膜電容器薄膜電容器是用于存儲電荷的雙片式器件。這些器件由沉積在基底上并由電介質(zhì)分隔的薄膜層組成。電容值范圍為 0.05 pF 至 500 mF，電壓為 2.5 V 至 100 V，封裝尺寸為 0201 至 1210，容差為 ±0.01 pF 至 ±5％。

  • 芯片型號：

    f1778433m3ibt0

  • 規(guī)格書：

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  • 企業(yè)簡稱：

    TS詳情

  • 廠商全稱：

    T&S Brass. All Rights Reserved.

  • 資料說明：

    CAP FILM 0.33UF 20% 630VDC RAD

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號：

    F1778433M3IBT0

  • 制造商：

    Vishay Beyschlag/Draloric/BC Components

  • 類別：

    電容器 > 薄膜電容器

  • 系列：

    F1778X2

  • 包裝：

    散裝

  • 容差：

    ±20%

  • 額定電壓 - AC：

    310V

  • 額定電壓 - DC：

    630V

  • 介電材料：

    聚丙烯（PP），金屬化

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 110°C

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    徑向

  • 大小 / 尺寸：

    1.024" 長 x 0.236" 寬（26.00mm x 6.00mm）

  • 高度 - 安裝（最大值）：

    0.610"（15.50mm）

  • 端接：

    PC 引腳

  • 引線間距：

    0.886"（22.50mm）

  • 應(yīng)用：

    EMI，RFI 抑制

  • 等級：

    X2

  • 描述：

    CAP FILM 0.33UF 20% 630VDC RAD

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