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F2001_TI/德州儀器_PATENTED GOLD METALIZED SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR能元時代
- 詳細信息
- 規(guī)格書下載
產(chǎn)品屬性
- 類型
描述
- 型號:
F2001
- 制造商:
POLYFET
- 制造商全稱:
Polyfet RF Devices
- 功能描述:
PATENTED GOLD METALIZED SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR
相近型號
- F200
- F2001T3D
- F20:MARKING
- F2001-TM3SW
- F20.0520.440
- F2002
- F2002ERW
- F2=5216
- F2002S
- F2=26FH
- F2002T
- F2/F1
- F2003
- F2.5A250V
- F2003ERW
- F2003T
- F2003T/79K/JJFFB
- F2004
- F1XTAL01259516M
- F200410
- F1XTAL0122804MHZ
- F2004ERW
- F1XTAL00318020M
- F2005ERW
- F1XD101
- F2006ERW
- F2007
- F200749
- F2007ERW
- F1X4WH6
- F2008-12
- F1X4LG6-A
- F200864
- F1X4LG6
- F2008ERW
- F1X3WH6-A
- F200979
- F1X3WH6
- F2009ERW
- F1X3LG6-A
- F200A
- F1X3LG6
- F200BKBK
- F1X2WH6-A
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- F200C
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- F200CS(304B)
- F1X2LG6