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F2001_POLYFET_PATENTED GOLD METALIZED SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR一線半導(dǎo)體

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  • 廠家型號(hào)：

    F2001

  • 產(chǎn)品分類(lèi)：

    IC芯片

  • 生產(chǎn)廠商：

    POLYFET/Polyfet RF Devices

  • 庫(kù)存數(shù)量：

    12

  • 產(chǎn)品封裝：

  • 生產(chǎn)批號(hào)：

    24+

  • 庫(kù)存類(lèi)型：

    常用庫(kù)存

  • 更新時(shí)間：

    2024-11-7 16:30:00

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原廠料號(hào)：F2001品牌：POLYFET

  • 芯片型號(hào)：

    F2001

  • 規(guī)格書(shū)：

    下載

  • 企業(yè)簡(jiǎn)稱：

    POLYFET詳情

  • 廠商全稱：

    Polyfet RF Devices

  • 內(nèi)容頁(yè)數(shù)：

    2 頁(yè)

  • 文件大小：

    37.85 kb

  • 資料說(shuō)明：

    PATENTED GOLD METALIZED SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR?

產(chǎn)品屬性

  • 類(lèi)型

    描述

  • 型號(hào)：

    F2001

  • 制造商：

    POLYFET

  • 制造商全稱：

    Polyfet RF Devices

  • 功能描述：

    PATENTED GOLD METALIZED SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    深圳市一線半導(dǎo)體有限公司

  • 商鋪：

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    云S/廖S

  • 手機(jī)：

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    深圳市福田區(qū)福田街道福華社區(qū)福虹路4號(hào)華強(qiáng)花園C座7A

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