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F2012_POLYFET_PATENTED GOLD METALIZED SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR一線半導(dǎo)體
- 詳細(xì)信息
- 規(guī)格書(shū)下載
產(chǎn)品屬性
- 類型
描述
- 型號(hào):
F2012
- 制造商:
POLYFET
- 制造商全稱:
Polyfet RF Devices
- 功能描述:
PATENTED GOLD METALIZED SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR
供應(yīng)商
- 企業(yè):
深圳市一線半導(dǎo)體有限公司
- 商鋪:
- 聯(lián)系人:
云S/廖S
- 手機(jī):
19168775913
- 詢價(jià):
- 電話:
0755-88608801
- 傳真:
0755-88608801
- 地址:
深圳市福田區(qū)福田街道福華社區(qū)福虹路4號(hào)華強(qiáng)花園C座7A
相近型號(hào)
- F20-100GIP
- F20-100GCP
- F2013
- F20100E
- F2013/MSP430F2013IPW
- F20-1000-C2
- F201300
- F200Z
- F2013ERW
- F200T254P20
- F2013I
- F200T254P16
- F2013Q
- F200T254P10
- F2013T
- F200T254P08
- F2014ERW
- F200R120KS4
- F2015
- F200MA250V
- F201531
- F200MA(395)125V
- F2015ERW
- F200G
- F2016ERW
- F200CS(304B)
- F2017ERW
- F200C
- F20-1800
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