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F2013_TI/德州儀器_PATENTED GOLD METALIZED SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR華來(lái)深電子
- 詳細(xì)信息
- 規(guī)格書(shū)下載
原廠(chǎng)料號(hào):F2013品牌:TI
受權(quán)代理!全新原裝現(xiàn)貨特價(jià)熱賣(mài)!
產(chǎn)品屬性
- 類(lèi)型
描述
- 型號(hào):
F2013
- 制造商:
POLYFET
- 制造商全稱(chēng):
Polyfet RF Devices
- 功能描述:
PATENTED GOLD METALIZED SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR
供應(yīng)商
- 企業(yè):
深圳市華來(lái)深電子有限公司
- 商鋪:
- 聯(lián)系人:
朱先生
- 手機(jī):
13751106682
- 詢(xún)價(jià):
- 電話(huà):
0755-83238902/13662247350
- 傳真:
0755-83972189
- 地址:
深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)205棟4樓4B35/門(mén)市部:深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北路國(guó)利大廈新亞洲二期N2B227
相近型號(hào)
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- F20106BA-18B
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