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F2013中文資料Polyfet數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)

F2013
廠(chǎng)商型號(hào)

F2013

功能描述

PATENTED GOLD METALIZED SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR?

文件大小

38.19 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

2 頁(yè)

生產(chǎn)廠(chǎng)商 Polyfet RF Devices
企業(yè)簡(jiǎn)稱(chēng)

Polyfet

中文名稱(chēng)

Polyfet RF Devices官網(wǎng)

原廠(chǎng)標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-5-4 11:12:00

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F2013規(guī)格書(shū)詳情

General Description

Silicon VDMOS and LDMOS transistors designed specifically for broadband RF applications. Suitable for Military Radios, Cellular and Paging Amplifier Base Stations, Broadcast FM/AM, MRI, Laser Driver and others.

Polyfet process features gold metal for greatly extended lifetime. Low output capacitance and high Ft enhance broadband performance

20Watts Gemini Package Style AK

HIGH EFFICIENCY, LINEAR, HIGH GAIN, LOW NOISE

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    F2013

  • 制造商:

    POLYFET

  • 制造商全稱(chēng):

    Polyfet RF Devices

  • 功能描述:

    PATENTED GOLD METALIZED SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
TI
24+
TSSOP14
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一級(jí)代理原廠(chǎng)VIP渠道,專(zhuān)注軍工、汽車(chē)、醫(yī)療、工業(yè)、
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一級(jí)代理-主營(yíng)優(yōu)勢(shì)-實(shí)惠價(jià)格-不悔選擇
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美國(guó)德州儀器TEXASINSTRUMENTS原廠(chǎng)代理輝華拓展內(nèi)地現(xiàn)
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