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F2N60G-TN3-R

N-CHANNEL INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR

DESCRIPTION TheUTCF2N60isahighvoltagepowerMOSFETandisdesignedtohavebettercharacteristics,suchasfastswitchingtime,lowgatecharge,lowon-stateresistanceandhaveahighruggedavalanchecharacteristics.ThispowerMOSFETisusuallyusedathighspeedswitchingapplicationsi

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更多F2N60G-TN3-R供應商 更新時間2025-4-27 9:30:00

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