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F2N60L-TN3-R中文資料友順數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

F2N60L-TN3-R
廠商型號(hào)

F2N60L-TN3-R

功能描述

N-CHANNEL INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR

文件大小

229.1 Kbytes

頁面數(shù)量

6

生產(chǎn)廠商 Unisonic Technologies
企業(yè)簡稱

UTC友順

中文名稱

友順科技股份有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2024-11-16 18:14:00

F2N60L-TN3-R規(guī)格書詳情

DESCRIPTION

The UTC F2N60 is a high voltage power MOSFET and is designed to have better characteristics, such as fast switching time, low gate charge, low on-state resistance and have a high rugged avalanche characteristics. This power MOSFET is usually used at high speed switching applications in power supplies, PWM motor controls, high efficient DC to DC converters and bridge circuits.

FEATURES

* RDS(ON) = 5?@VGS = 10V

* Ultra Low gate charge (typical 16nC)

* Fast switching capability

* Avalanche energy specified

* Improved dv/dt capability, high ruggedness

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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23+
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