F339X126833MDM2B0_電容器 薄膜電容器EMI,RFI 抑制-TS

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原廠料號:F339X126833MDM2B0品牌:Vishay Beyschlag/Draloric/BC Components

資料說明:CAP FILM 6800PF 20% 800VDC RAD

F339X126833MDM2B0是電容器 > 薄膜電容器。制造商TS/T&S Brass. All Rights Reserved.生產封裝徑向的F339X126833MDM2B0薄膜電容器薄膜電容器是用于存儲電荷的雙片式器件。這些器件由沉積在基底上并由電介質分隔的薄膜層組成。電容值范圍為 0.05 pF 至 500 mF,電壓為 2.5 V 至 100 V,封裝尺寸為 0201 至 1210,容差為 ±0.01 pF 至 ±5%。

  • 芯片型號:

    f339x126833mdm2b0

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  • 企業(yè)簡稱:

    TS詳情

  • 廠商全稱:

    T&S Brass. All Rights Reserved.

  • 資料說明:

    CAP FILM 6800PF 20% 800VDC RAD

產品屬性

  • 類型

    描述

  • 產品編號:

    F339X126833MDM2B0

  • 制造商:

    Vishay Beyschlag/Draloric/BC Components

  • 類別:

    電容器 > 薄膜電容器

  • 系列:

    F339X1

  • 包裝:

    帶盒(TB)

  • 容差:

    ±20%

  • 額定電壓 - AC:

    330V

  • 額定電壓 - DC:

    800V

  • 介電材料:

    聚丙烯(PP),金屬化

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 110°C

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    徑向

  • 大小 / 尺寸:

    0.492" 長 x 0.157" 寬(12.50mm x 4.00mm)

  • 高度 - 安裝(最大值):

    0.394"(10.00mm)

  • 端接:

    PC 引腳

  • 引線間距:

    0.394"(10.00mm)

  • 應用:

    EMI,RFI 抑制

  • 等級:

    X1

  • 描述:

    CAP FILM 6800PF 20% 800VDC RAD

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