F3L11MR12W2M1C01BOMA1_分立半導體產(chǎn)品 晶體管-IGBT-模塊-英飛凌

原廠料號：F3L11MR12W2M1C01BOMA1品牌：Infineon Technologies

資料說明：IC SIC MOSFET LOW POWER

F3L11MR12W2M1C01BOMA1是分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - IGBT - 模塊。制造商INFINEON/英飛凌生產(chǎn)封裝的F3L11MR12W2M1C01BOMA1晶體管 - IGBT - 模塊絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 是三端功率半導體器件，主要用作電子開關，兼具高效率和快速切換優(yōu)點。作為模塊，IGBT 配置為非對稱式橋； 升壓、降壓和制動斬波器；全橋、三電平和三相逆變器。有些器件內(nèi)置了用于監(jiān)控溫度的 NTC 熱敏電阻。IGBT 模塊可根據(jù)最大功率、集電極電流、集射擊穿電壓和配置進行區(qū)分。

• 芯片型號：

  f3l11mr12w2m1c01boma1

• 規(guī)格書：

  下載

• 企業(yè)簡稱：

  INFINEON【英飛凌】詳情

• 廠商全稱：

  Infineon Technologies AG

• 中文名稱：

  英飛凌科技股份公司

• 資料說明：

  IC SIC MOSFET LOW POWER