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F3L75R07W2E3_B11中文資料英飛凌數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

F3L75R07W2E3_B11
廠商型號

F3L75R07W2E3_B11
功能描述

EasyPACK Modul mit Trench/Feldstopp IGBT3 und Emitter Controlled 3 Diode und PressFIT / NTC
文件大小

822.11 Kbytes
頁面數(shù)量

11 頁
生產(chǎn)廠商 Infineon Technologies AG
企業(yè)簡稱

Infineon【英飛凌】

中文名稱

英飛凌科技股份公司官網(wǎng)
原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載
更新時間

2025-2-1 20:00:00

產(chǎn)品屬性

  • 型號：

    F3L75R07W2E3_B11

  • 功能描述：

    IGBT 模塊 IGBT MODULES 650V 75A

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    Infineon Technologies

  • 產(chǎn)品：

    IGBT Silicon Modules

  • 配置：

    Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO：

    600 V

  • 集電極—射極飽和電壓：

    1.95 V 在25

  • C的連續(xù)集電極電流：

    230 A

  • 柵極—射極漏泄電流：

    400 nA

  • 功率耗散：

    445 W

  • 最大工作溫度：

    + 125 C

  • 封裝/箱體：

    34MM

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