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F4-200R17N3E4

EiceDRIVER? 1ED314xMU12F (1ED-X3 Compact)

Features ?Single-channelisolatedgatedriver ?Forusewith600V/650V/1200V/1700V/2300VIGBTs,SiandSiCMOSFETs ?Upto6.5Atypicalpeakoutputcurrent ?45nspropagationdelaywith7nspart-to-partmatching(skew) ?35Vabsolutemaximumoutputsupplyvoltage ?Highcommon-mode

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

F4-200R17N3E4

Hochleistungsumrichter

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F4-200R17N3E4_B58

EconoPACK?3 module with Trench/Fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled diode and NTC

Features ?Electricalfeatures -VCES=1700V -ICnom=200A/ICRM=400A -LowVCEsat -Tvjop=150°C -TrenchIGBT4 -VCEsatwithpositivetemperaturecoefficient ?Mechanicalfeatures -IntegratedNTCtemperaturesensor -Standardhousing -Soldercontacttechnology -Isolat

InfineonInfineon Technologies AG

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Infineon(英飛凌)
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Infineon/英飛凌
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只做原裝,質(zhì)量保證
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更多F4-200R17N3E4供應商 更新時間2024-12-25 23:00:00

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