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F4-50R06W1E3中文資料英飛凌數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

F4-50R06W1E3
廠商型號(hào)

F4-50R06W1E3

功能描述

EasyPACK module with Trench/Fieldstopp IGBT3 and Emitter Controlled 3 diode and PressFIT / NTC

文件大小

542.69 Kbytes

頁面數(shù)量

9

生產(chǎn)廠商 Infineon Technologies AG
企業(yè)簡稱

Infineon英飛凌

中文名稱

英飛凌科技股份公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-1-22 17:59:00

F4-50R06W1E3規(guī)格書詳情

Electrical Features

? Low inductive design

? Low Switching Losses

? Trench IGBT 3

? Low VCEsat

Mechanical Features

? Al2O3 Substrate for Low Thermal Resistance

? Compact Design

? Solder Contact Technology

? Rugged mounting due to integrated mounting clamps

Typical Applications

? Auxiliary Inverters

? Inductive Heating and Welding

? Servo Drives

? UPS Systems

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    F4-50R06W1E3

  • 功能描述:

    IGBT 模塊 N-CH 600V 75A

  • RoHS:

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 產(chǎn)品:

    IGBT Silicon Modules

  • 配置:

    Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO:

    600 V

  • 集電極—射極飽和電壓:

    1.95 V 在25

  • C的連續(xù)集電極電流:

    230 A

  • 柵極—射極漏泄電流:

    400 nA

  • 功率耗散:

    445 W

  • 最大工作溫度:

    + 125 C

  • 封裝/箱體:

    34MM

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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