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零件編號(hào)	下載&訂購	功能描述	制造商&上傳企業(yè)	LOGO
FDS4953	文件：97.04 Kbytes Page：5 Pages	Dual30VP-ChannelPowerTrenchMOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
FDS4953	文件：339.7 Kbytes Page：18 Pages	EVALUATIONKIT INTRODUCINGLX1710/1711AUDIOMAX ThankyouforyourinterestinthelatestgenerationofAudioMAXproducts.TheenclosedLXE1710evaluationboardisafullyfunctionalmonoamplifierdesignedtodemonstratethe“newandimproved”SwitchingClass-DPowerAmplifierICfromLinfinityMicrosemi.The	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
FDS4953	文件：249.3 Kbytes Page：8 Pages	DualP-Channel,LogicLevel,PowerTrenchTMMOSFET GeneralDescription ThisP-ChannelMOSFETisaruggedgateversionofFairchildSemiconductor’sadvancedPowerTrenchprocess.Ithasbeenoptimizedforpowermanagementapplicationsrequiringawiderangeofgavedrivevoltageratings(4.5V–25V). Features ·–5A,–30VRDS(ON)=55mW@VGS=	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
FDS4953-NL	文件：1.05737 Mbytes Page：9 Pages	DualP-Channel30-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司	VBSEMI
FKQ4953	文件：457.81 Kbytes Page：5 Pages	DualP-Ch20VFastSwitchingMOSFETs Description TheFKQ4953isthehighcelldensitytrenched P-chMOSFETs,whichprovideexcellentRDSON andgatechargeformostofthesmallpower switchingandloadswitchapplications. TheFKQ4953meettheRoHSandGreen Productrequirementwithfullfunctionreliability approved.	FETEKFETek Technology Corp. 臺(tái)灣東沅東沅科技股份有限公司	FETEK
FQ4953Q	文件：1.44104 Mbytes Page：5 Pages	Plastic-EncapsulateMOSFETS FEATURE SurfaceMountPackage SuperHighDensityCellDesignfor ExtremelyLowRDS(ON)	GWSEMIGoodwork Semiconductor Co., Ltd 唯圣電子唯圣電子有限公司	GWSEMI
FTK4953	文件：357.29 Kbytes Page：4 Pages	HighPowerandcurrenthandingcapability	FS First Silicon Co., Ltd	FS
GAPM4953	文件：468.13 Kbytes Page：10 Pages	MinisizeofDiscretesemiconductorelements	ETC1List of Unclassifed Manufacturers etc未分類制造商未分類制造商	ETC1
GP4953	文件：301.82 Kbytes Page：4 Pages	P-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET	GTMGTM CORPORATION 勤益投資控股勤益投資控股股份有限公司	GTM
GSS4953	文件：309.87 Kbytes Page：5 Pages	P-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET [GTM] Description TheGSS4953providethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheSOP-8packageisuniversallypreferredforallcommercial-industrialsurfacemountapplicationsandsuitedforlowvoltageappl	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分類制造商etc2未分類制造商	etc2
GSS4953	文件：309.87 Kbytes Page：5 Pages	P-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET Description TheGSS4953providethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheSOP-8packageisuniversallypreferredforallcommercial-industrialsurfacemountapplicationsandsuitedforlowvoltageapplication	GTMGTM CORPORATION 勤益投資控股勤益投資控股股份有限公司	GTM
GSS4953BDY	文件：309.11 Kbytes Page：5 Pages	P-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET Description TheGSS4953BDYprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheSOP-8packageisuniversallypreferredforallcommercial-industrialsurfacemountapplicationsandsuitedforlowvoltageappl	GTMGTM CORPORATION 勤益投資控股勤益投資控股股份有限公司	GTM
GT4953	文件：2.049 Mbytes Page：9 Pages	DualP-Channel30-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司	VBSEMI
HM4953A	文件：585.97 Kbytes Page：7 Pages	DualP-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 華之美半導(dǎo)體深圳市華之美半導(dǎo)體有限公司	HMSEMI
JMTP4953A	文件：664.564 Kbytes Page：6 Pages		JJWJieJie Microelectronics Co., Ltd. 捷捷微江蘇捷捷微電子股份有限公司 PDF上傳者：深圳市溢航科技有限公司	JJW
JMTP4953A	文件：232.936 Kbytes Page：6 Pages		JJWJieJie Microelectronics Co., Ltd. 捷捷微江蘇捷捷微電子股份有限公司 PDF上傳者：深圳市溢航科技有限公司	JJW
KD4953	文件：1.10093 Mbytes Page：9 Pages	DualP-Channel30-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司	VBSEMI
KD4953BDY	文件：1.05591 Mbytes Page：9 Pages	DualP-Channel30-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司	VBSEMI
KDS4953	文件：62.39 Kbytes Page：2 Pages	Dual30VP-ChannelPowerTrenchMOSFET Features ●-5A,-30V.RDS(ON)=55m@VGS=-10V RDS(ON)=95m@VGS=-4.5V ●Lowgatecharge(6nCtypical) ●HighperformancetrenchtechnologyforextremelylowRDS(ON) ●Highpowerandcurrenthandlingcapability ●Fastswitchingspeed	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信電子廣東科信實(shí)業(yè)有限公司	KEXIN
KI4953ADY	文件：1.5212 Mbytes Page：5 Pages	DualP-ChannelMOSFET	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信電子廣東科信實(shí)業(yè)有限公司	KEXIN

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更多F4953供應(yīng)商更新時(shí)間2025-1-3 16:42:00

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