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S8119	文件：320.53 Kbytes Page：4 Pages	PhotoICforopticalswitch	HAMAMATSUHamamatsu Photonics Co.,Ltd. 濱松光子濱松光子學(xué)株式會社	HAMAMATSU
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TPC8119	文件：1.58274 Mbytes Page：73 Pages	BipolarSmall-SignalTransistors MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf	TOSHIBAToshiba Semiconductor 東芝株式會社東芝	TOSHIBA
TPC8119	文件：206.95 Kbytes Page：7 Pages	FieldEffectTransistorSiliconPChannelMOSType(U-MOSV) Lithium-IonBatteryApplications LoadswitchApplications NotebookPCApplications ?Smallfootprintduetoasmallandthinpackage ?Lowdrain-sourceON-resistance:RDS(ON)=10m?(typ.) ?Highforwardtransferadmittance:\|Yfs\|=24S(typ.) ?Lowleakagecurrent:IDSS	TOSHIBAToshiba Semiconductor 東芝株式會社東芝	TOSHIBA
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UPC8119T	文件：371.8 Kbytes Page：40 Pages	-15dBmINPUT,VARIABLEGAINAMPLIFIERSILICONMMICFORTRANSMITTERAGCOFDIGITALCELLULARTELEPHONE DESCRIPTION TheμPC8130TAandμPC8131TAaresiliconmonolithicintegratedcircuitsdesignedasvariablegainamplifier.Dueto800MHzto1.5GHzoperation,theseICsaresuitableforRFtransmitterAGCstageofdigitalcellulartelephone.TheseICsarelowerdistortionthanconventionalμPC8119T	NECRenesas Electronics America 瑞薩日本瑞薩電子株式會社	NEC
UPC8119T	文件：550.61 Kbytes Page：52 Pages	VARIABLEGAINAMPLIFIERSILICONMMICFORTRANSMITTERAGCOFDIGITALCELLULARTELEPHONE DESCRIPTION TheμPC8119TandμPC8120Taresiliconmonolithicintegratedcircuitsdesignedasvariablegainamplifier.Dueto100MHzto1.9GHzoperation,theseICsaresuitableforRFtransmitterAGCstageofdigitalcellulartelephone.Twotypesofgaincontrolletuserschooseinaccordancewi	NECRenesas Electronics America 瑞薩日本瑞薩電子株式會社	NEC

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更多F8119供應(yīng)商更新時間2025-1-10 19:17:00

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