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FM9310A	文件：240.15 Kbytes Page：3 Pages	LEDremotecontrolIC	FUMANFine Made Microelectronics Group Co.,Ltd. 富滿微富滿微電子集團(tuán)股份有限公司	FUMAN
GENE-9310	文件：415.09 Kbytes Page：2 Pages	3.5??SubCompactBoardWithIntelCore2Duo/CoreDuo/CeleronM(65nm)Processor	AAEONAAEON Technology 研揚(yáng)科技研揚(yáng)科技（蘇州）有限公司	AAEON
HF9310	文件：64.79 Kbytes Page：3 Pages	HALF-SIZECRYSTALCANHERMETICALLYSEALEDRELAYWITHESTABLISHEDRELIABILITY	HONGFAHongfa Technology 宏發(fā)電聲廈門(mén)宏發(fā)電聲股份有限公司	HONGFA
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IRF9310	文件：414.56 Kbytes Page：8 Pages	P-Channel30V(D-S)MOSFET Features Industry-standardpinoutSOP-8Package CompatiblewithExistingSurfaceMountTechniques RoHSCompliant,Halogen-Free MSL1,Industrialqualification	EVVOSEMIEVER SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED 翊歐翊歐半導(dǎo)體	EVVOSEMI
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IRF9310TR	文件：414.56 Kbytes Page：8 Pages	P-Channel30V(D-S)MOSFET Features Industry-standardpinoutSOP-8Package CompatiblewithExistingSurfaceMountTechniques RoHSCompliant,Halogen-Free MSL1,Industrialqualification	EVVOSEMIEVER SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED 翊歐翊歐半導(dǎo)體	EVVOSEMI
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IRF9310TRPBF	文件：1.68719 Mbytes Page：4 Pages	P-channelEnhancementModePowerMOSFET Features ?VDS=-30V,ID=-20A RDS(ON)	BychipBYCHIP ELECTRONICS CO., LIMITED 百域芯深圳市百域芯科技有限公司	Bychip
IRF9310TRPBF-TP	文件：1.0988 Mbytes Page：3 Pages	P-ChannelEnhancementModeMOSFET Features RDS(ON)=5.2mQ@VGs=-10V RDS(ON)=9.5mQ@VGs=-4V SuperhighdensitycelldesignforextremelylowRDS(ON) Exceptionalon-resistanceandmaximumDCcurrent capability	TECHPUBLICTECH PUBLIC Electronics co LTD 臺(tái)舟電子臺(tái)舟電子股份有限公司	TECHPUBLIC
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IRFH9310	文件：771.83 Kbytes Page：6 Pages	P-ChannelEnhancementModeMOSFET Description TheIRFH9310usesadvancedtrenchtechnologyto provideexcellentRDS(ON),lowgatechargeand operationwithgatevoltagesaslowas4.5V.This deviceissuitableforuseasa BatteryprotectionorinotherSwitchingapplication. GeneralFeatures VDS=-30VID=-90A RDS(ON)	EVVOSEMIEVER SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED 翊歐翊歐半導(dǎo)體	EVVOSEMI
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更多F9310供應(yīng)商更新時(shí)間2025-1-7 17:24:00

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