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F9530N中文資料IRF數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

F9530N
廠商型號(hào)

F9530N

功能描述

Power MOSFET(Vdss=-100V, Rds(on)=0.20ohm, Id=-14A)

文件大小

113.13 Kbytes

頁面數(shù)量

8

生產(chǎn)廠商 International Rectifier
企業(yè)簡(jiǎn)稱

IRF

中文名稱

International Rectifier官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-3-20 22:59:00

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F9530N規(guī)格書詳情

VDSS = -100V

RDS(on) = 0.20?

ID = -14A

Description

Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.

Advanced Process Technology

Dynamic dv/dt Rating

175°C Operating Temperature

Fast Switching

P-Channel

Fully Avalanche Rated

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
IR(國(guó)際整流器)
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