FAE35SN06中文資料唯圣電子數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書
廠商型號(hào) |
FAE35SN06 |
功能描述 | Plastic-Encapsulate MOSFETS |
絲印標(biāo)識(shí) | |
封裝外殼 | DFNWB3X3-8L |
文件大小 |
1.3339 Mbytes |
頁(yè)面數(shù)量 |
5 頁(yè) |
生產(chǎn)廠商 | Goodwork Semiconductor Co., Ltd |
企業(yè)簡(jiǎn)稱 |
GWSEMI【唯圣電子】 |
中文名稱 | 唯圣電子有限公司官網(wǎng) |
原廠標(biāo)識(shí) | |
數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
更新時(shí)間 | 2025-1-18 17:20:00 |
FAE35SN06規(guī)格書詳情
DESCRIPTION
DS(ON)
The FAE35SN06 uses SGT technology and design to provide excellent R with low gate charge.
It can be used in a wide variety of applications.
FEATURES
? High density cell design for ultra low RDS(ON)
? Fully characterized avalanche voltage and current
? Good stability and uniformity with high EAS
? Excellent package for good heat dissipation
? Special process technology for high ESD capability
供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
ST |
23+ |
SILICON |
12335 |
詢價(jià) | |||
YAGEO |
22+ |
SMD |
518000 |
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詢價(jià) | ||
SMD |
23+ |
NA |
15659 |
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OMRON |
20+ |
NA |
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詢價(jià) | ||
FUJ |
QFN |
68900 |
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詢價(jià) | |||
FE |
23+ |
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7000 |
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詢價(jià) | ||
FE |
24+ |
QFN77 |
8000 |
詢價(jià) | |||
ST |
23+ |
SILICON |
65480 |
詢價(jià) | |||
FUJI/富士電機(jī) |
1948+ |
QFN |
6852 |
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詢價(jià) | ||
FUJITSU/富士通 |
22+ |
QFN |
14008 |
原裝正品 |
詢價(jià) |