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FAM65CR51DZ2分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-IGBT-模塊規(guī)格書PDF中文資料

FAM65CR51DZ2
廠商型號(hào)

FAM65CR51DZ2
參數(shù)屬性

FAM65CR51DZ2 封裝/外殼為12-SSIP 裸焊盤，成型引線；包裝為托盤；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-IGBT-模塊；產(chǎn)品描述：IGBT MOD 650V 33A 160W APMCD-B16
功能描述

Boost Converter Stage in APM16 Series for Multiphase and Semi-Bridgeless PFC
IGBT MOD 650V 33A 160W APMCD-B16
封裝外殼

12-SSIP 裸焊盤，成型引線
文件大小

670.27 Kbytes
頁(yè)面數(shù)量

16 頁(yè)
生產(chǎn)廠商 ON Semiconductor
企業(yè)簡(jiǎn)稱

ONSEMI【安森美半導(dǎo)體】

中文名稱

安森美半導(dǎo)體公司官網(wǎng)
原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

原廠下載下載地址一下載地址二到原廠下載
更新時(shí)間

2025-1-12 23:00:00

FAM65CR51DZ2規(guī)格書詳情

FAM65CR51DZ2屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-IGBT-模塊。由安森美半導(dǎo)體公司制造生產(chǎn)的FAM65CR51DZ2晶體管 - IGBT - 模塊絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 是三端功率半導(dǎo)體器件，主要用作電子開關(guān)，兼具高效率和快速切換優(yōu)點(diǎn)。作為模塊，IGBT 配置為非對(duì)稱式橋； 升壓、降壓和制動(dòng)斬波器；全橋、三電平和三相逆變器。有些器件內(nèi)置了用于監(jiān)控溫度的 NTC 熱敏電阻。IGBT 模塊可根據(jù)最大功率、集電極電流、集射擊穿電壓和配置進(jìn)行區(qū)分。

產(chǎn)品屬性

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  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    FAM65CR51DZ2

  • 制造商：

    onsemi

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - IGBT - 模塊

  • 包裝：

    托盤

  • 配置：

    2 個(gè)獨(dú)立式

  • 輸入：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • NTC 熱敏電阻：

    無

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    12-SSIP 裸焊盤，成型引線

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    APMCD-B16

  • 描述：

    IGBT MOD 650V 33A 160W APMCD-B16

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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