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FAM65HR51DS2_分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管-IGBT-模塊-安森美半導(dǎo)體

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原廠料號(hào)：FAM65HR51DS2品牌：onsemi

資料說(shuō)明：IGBT MODULE 650V 33A 135W

FAM65HR51DS2是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - IGBT - 模塊。制造商ONSEMI/安森美半導(dǎo)體生產(chǎn)封裝的FAM65HR51DS2晶體管 - IGBT - 模塊絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 是三端功率半導(dǎo)體器件，主要用作電子開(kāi)關(guān)，兼具高效率和快速切換優(yōu)點(diǎn)。作為模塊，IGBT 配置為非對(duì)稱式橋； 升壓、降壓和制動(dòng)斬波器；全橋、三電平和三相逆變器。有些器件內(nèi)置了用于監(jiān)控溫度的 NTC 熱敏電阻。IGBT 模塊可根據(jù)最大功率、集電極電流、集射擊穿電壓和配置進(jìn)行區(qū)分。

  • 芯片型號(hào)：

    fam65hr51ds2

  • 規(guī)格書(shū)：

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  • 企業(yè)簡(jiǎn)稱：

    ONSEMI【安森美半導(dǎo)體】詳情

  • 廠商全稱：

    ON Semiconductor

  • 中文名稱：

    安森美半導(dǎo)體公司

  • 資料說(shuō)明：

    IGBT MODULE 650V 33A 135W

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    FAM65HR51DS2

  • 制造商：

    onsemi

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - IGBT - 模塊

  • 包裝：

    托盤

  • 配置：

    半橋逆變器

  • 輸入：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • NTC 熱敏電阻：

    無(wú)

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 描述：

    IGBT MODULE 650V 33A 135W

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
onsemi
24+
NA
30000
晶體管-分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-原裝正品
 詢價(jià)
三年內(nèi)
1983
只做原裝正品
 詢價(jià)
ON(安森美)
2112+
-
31500
1個(gè)/管一級(jí)代理專營(yíng)品牌!原裝正品,優(yōu)勢(shì)現(xiàn)貨,長(zhǎng)期排
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NA
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進(jìn)口原裝 假一罰十 現(xiàn)貨
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ON
21+
NA
3000
進(jìn)口原裝 假一罰十 現(xiàn)貨
 詢價(jià)
ON/安森美
22+
24000
原裝正品現(xiàn)貨,實(shí)單可談,量大價(jià)優(yōu)
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ON
2022+
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全新原裝 支持表配單 中國(guó)著名電子元器件獨(dú)立分銷
 詢價(jià)
onsemi
23+
標(biāo)準(zhǔn)封裝
2000
全新原裝正品現(xiàn)貨直銷
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onsemi(安森美)
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